中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司张斯日古楞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利一种自对准隔离结构的形成方法及图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864608B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110073802.5，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种自对准隔离结构的形成方法及图像传感器是由张斯日古楞设计研发完成，并于2021-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自对准隔离结构的形成方法及图像传感器在说明书摘要公布了：本申请提供一种自对准隔离结构的形成方法及图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底；若干第一隔离结构，位于所述半导体衬底中，其中，相邻的两个第一隔离结构定义如上述所述的自对准隔离结构的位置；如上述所述的自对准隔离结构，位于所述相邻的两个第一隔离结构之间的半导体衬底中，所述自对准隔离结构的深度大于所述第一隔离结构的深度。本申请所述的自对准隔离结构的形成方法及图像传感器，使用所述第一隔离结构作为硬掩膜来刻蚀第二沟槽形成自对准隔离结构，可以提高图像传感器的相邻像素单元之间的深沟槽隔离结构的对准精度。
本发明授权一种自对准隔离结构的形成方法及图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种自对准隔离结构的形成方法，用于隔离图像传感器的不同像素区域，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成若干第一隔离结构，其中，相邻的两个第一隔离结构定义所述自对准隔离结构的位置； 刻蚀所述相邻的两个第一隔离结构之间的半导体衬底至特定深度，形成第二沟槽，所述形成第二沟槽的方法包括：在所述半导体衬底表面形成第二光阻层，所述第二光阻层包括第一开口，所述第一开口暴露所述相邻的两个第一隔离结构之间的半导体衬底以及部分所述相邻的两个第一隔离结构；沿所述第一开口刻蚀所述半导体衬底以形成第二沟槽；去除所述第二光阻层； 在所述第二沟槽中形成所述自对准隔离结构，所述自对准隔离结构的深度大于所述第一隔离结构的深度。
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