苏州奕赫光电子科技有限公司雷威获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州奕赫光电子科技有限公司申请的专利一种固相掺杂的钙钛矿光电二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210637352.2，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权一种固相掺杂的钙钛矿光电二极管是由雷威;赵志伟;周建明设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种固相掺杂的钙钛矿光电二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种固相掺杂的钙钛矿光电二极管，包括钙钛矿光子吸收体、第一掺杂金属层、第二掺杂金属层、第一电极层和第二电极层；所述钙钛矿光子吸收体两侧分别沉积第一掺杂金属层和第二掺杂金属层，所述第一掺杂金属层用于获得n型掺杂，第二掺杂金属层用于获得p型掺杂；第一掺杂金属层和第二掺杂金属层的金属离子渗透到钙钛矿光子吸收体，形成钙钛矿n型层和钙钛矿p型层；所述第一掺杂金属层和第二掺杂金属层两侧分别沉积第一电极层和第二电极层，从而构成钙钛矿同质结光电二极管。本发明提出的钙钛矿同质结的结区界面晶格匹配，界面缺陷少，可以提高光电二极管的探测量子效率，并且降低缺陷引起的散粒噪声。
本发明授权一种固相掺杂的钙钛矿光电二极管在权利要求书中公布了：1.一种固相掺杂的钙钛矿光电二极管，其特征在于：包括钙钛矿光子吸收体、第一掺杂金属层、第二掺杂金属层、第一电极层和第二电极层； 所述钙钛矿光子吸收体两侧分别沉积第一掺杂金属层和第二掺杂金属层，所述第一掺杂金属层用于获得n型掺杂，第二掺杂金属层用于获得p型掺杂；第一掺杂金属层和第二掺杂金属层的金属离子渗透到钙钛矿光子吸收体，形成钙钛矿n型层和钙钛矿p型层； 所述第一掺杂金属层和第二掺杂金属层两侧分别沉积第一电极层和第二电极层，用于施加探测器的偏置电压和收集光电流，从而构成钙钛矿同质结光电二极管。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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