NKT光子学有限公司T·T·奥克塞卓德获国家专利权
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龙图腾网获悉NKT光子学有限公司申请的专利光子晶体光纤、光子晶体光纤的制备方法以及超连续谱光源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114879301B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210516426.7，技术领域涉及：G02B6/02；该发明授权光子晶体光纤、光子晶体光纤的制备方法以及超连续谱光源是由T·T·奥克塞卓德;C·L·拜格;C·雅各布森;J·K·朗格塞;K·G·叶斯帕森;J·约翰森;M·D·马克;M·E·V·佩德森;C·L·汤姆森设计研发完成，并于2015-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本光子晶体光纤、光子晶体光纤的制备方法以及超连续谱光源在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光子晶体光纤PCF、PCF的制备方法以及包括这种PCF的超连续谱光源。PCF具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的芯和围绕所述芯的包层区域。至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构。在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中，PCF包含氢和或氘。在至少所述抗劣化长度部分中，所述PCF还包括围绕所述包层区域的主涂层，该主涂层在低于Th的温度下不透氢和或氘，其中Th为至少约50℃，优选地，50℃Th250℃。
本发明授权光子晶体光纤、光子晶体光纤的制备方法以及超连续谱光源在权利要求书中公布了：1.一种用于超连续谱光源的微结构光纤MSF，所述MSF包括沿纵轴的长度延伸的固体芯和围绕所述芯的包层区域，其中，至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述MSF的纵轴延伸的内含物形式的微结构，其中，所述MSF在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中包含氢和或氘，所述MSF在至少所述抗劣化长度部分中还包括围绕所述包层区域的涂层，其中所述涂层包括碳，其中所述涂层在低于Th的温度下不透氢和或氘，以使得氢和或氘通过不透气涂层的扩散小于每天1％，其中，Th为至少50℃。
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