华灿光电(浙江)有限公司王群获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利功率半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899223B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210406650.0，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权功率半导体器件及其制备方法是由王群;龚逸品;李鹏;王江波设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种功率半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该功率半导体器件包括：衬底、第一GaN层、第二GaN层、AlGaN层、欧姆电极和肖特基电极；所述第一GaN层、所述第二GaN层和所述AlGaN层依次层叠在所述衬底的承载面上，所述肖特基电极位于所述AlGaN层远离所述衬底的一面，所述AlGaN层的表面具有露出所述第一GaN层的凹槽，所述欧姆电极位于所述凹槽内且与所述第一GaN层相连；所述第二GaN层远离所述衬底的表面具有多个间隔排布的凸起结构，所述凸起结构嵌设在所述AlGaN层内。本公开能改善功率半导体器件中电流分布不均，容易出现电流拥堵的问题，以避免功率半导体器件轻易损坏。
本发明授权功率半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括：衬底10、第一GaN层21、第二GaN层22、AlGaN层23、欧姆电极31和肖特基电极32； 所述第一GaN层21、所述第二GaN层22和所述AlGaN层23依次层叠在所述衬底10的承载面上，所述肖特基电极32位于所述AlGaN层23远离所述衬底10的一面，所述AlGaN层23的表面具有露出所述第一GaN层21的凹槽40，所述欧姆电极31位于所述凹槽40内且与所述第一GaN层21相连； 所述第二GaN层22远离所述衬底10的表面具有多个间隔排布的凸起结构221，所述凸起结构221嵌设在所述AlGaN层23内，在所述第二GaN层22远离所述衬底10的表面上，从所述肖特基电极32至所述欧姆电极31的方向上，所述凸起结构221的分布密度逐渐增大。
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