武汉仟目激光有限公司郭丁凯获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉仟目激光有限公司申请的专利基于p基底的共阳极数据通信VCSEL芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937918B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210518279.7，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权基于p基底的共阳极数据通信VCSEL芯片及其制备方法是由郭丁凯;杨旭;蔡建新设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于p基底的共阳极数据通信VCSEL芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及激光器技术领域，提供了一种基于p基底的共阳极数据通信VCSEL芯片，包括p基底以及制作于所述p基底上的外延层，所述外延层远离所述p基底的面上制作有n电极和第一p电极，所述n电极和所述第一p电极由电极隔离区隔开，所述p基底远离所述外延层的面上制作有第二p电极，所述第一p电极和所述第二p电极导通。还提供一种基于p基底的共阳极数据通信VCSEL芯片的制备方法。本发明通过在p基底上制作外延层，然后做p类型和n类型金属的接触层，较传统共阴极结构，这种共阳极结构将信号的调制主要载体由空穴转为电子，从而降低总体载流子有效质量，有利于实现更高的调制带宽和调制速率。
本发明授权基于p基底的共阳极数据通信VCSEL芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于p基底的共阳极数据通信VCSEL芯片，其特征在于：包括p基底以及制作于所述p基底上的外延层，所述外延层远离所述p基底的面上制作有n电极和第一p电极，所述n电极和所述第一p电极由电极隔离区隔开，所述p基底远离所述外延层的面上制作有第二p电极，所述第一p电极和所述第二p电极导通，所述外延层包括于所述p基底上依次生长的p‑DBR区、有源区以及n‑DBR区，所述外延层内具有依次贯穿所述p‑DBR区、有源区以及n‑DBR区的出光孔，所述出光孔的出光面开设在所述n‑DBR区上，且所述出光面设在n电极中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉仟目激光有限公司，其通讯地址为：430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区汤逊湖北路33号华工科技园·创新基地13栋1单元1层01号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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