铠侠股份有限公司田畑浩司获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110912369.X，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权半导体存储装置是由田畑浩司设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的一实施方式提供一种能够进行良好的动作的半导体存储装置。本发明的一实施方式的半导体存储装置具备：衬底；多个第1导电层，在与衬底表面交叉的第1方向上排列，且在与第1方向交叉的第2方向上延伸；第1半导体柱，在第1方向上延伸，且与多个第1导电层对向；第1位线，在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上延伸，且设置在从第1方向观察时与第1半导体柱重叠的位置；第1配线，包含从第1方向观察时与第1位线重叠的部分；及第2配线，包含从第1方向观察时与第1位线重叠的部分。当将第1配线的电压从高电位状态转变为低电位状态的期间设为第1期间，将第2配线的电压从低电位状态转变为高电位状态的期间设为第2期间时，第2期间的至少一部分与第1期间的至少一部分重叠。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 衬底； 多个第1导电层，在与所述衬底的表面交叉的第1方向上排列，且在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸； 第1半导体柱，在所述第1方向上延伸，且与所述多个第1导电层对向； 第1位线，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上延伸，且设置在从所述第1方向观察时与所述第1半导体柱重叠的位置； 第1配线，包含从所述第1方向观察时与所述第1位线重叠的部分；及第2配线，包含从所述第1方向观察时与所述第1位线重叠的部分；且当将所述第1配线的电压从高电位状态转变为低电位状态的规定期间设为第1期间，将所述第2配线的电压从低电位状态转变为高电位状态的规定期间设为第2期间时，所述第2期间的至少一部分与所述第1期间的至少一部分重叠。
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