厦门未来显示技术研究院有限公司林志伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门未来显示技术研究院有限公司申请的专利一种微型LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975716B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210761964.2，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种微型LED芯片及其制作方法是由林志伟;陈凯轩;柯志杰;蔡建九;艾国齐;谈江乔;江方设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微型LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种微型LED芯片及其制作方法，通过在衬底的第一表面依次沉积的缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源区、第二型导电层、反射结构、保护层、以及第一电极和第二电极；其中，所述第一电极与所述第一型导电层形成电连接，所述第二电极与所述第二型导电层形成电连接；并且在所述微型LED芯片的周围设置凹凸曲面。应用本发明提供的技术方案，不仅可以改变微型LED芯片的出光角度，使得光更集中，减少与近距离的芯片互相影响显示效果，在表面形成较好的混色效果，并且可以有效避免芯片制作过程中的发光面积的损耗，有效提高微型LED芯片的发光效率。
本发明授权一种微型LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种微型LED芯片，其特征在于，所述微型LED芯片包括： 衬底，所述衬底具有第一表面； 设置在所述第一表面的外延发光结构，所述外延发光结构包括在所述第一表面依次沉积的缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源区和第二型导电层； 设置在所述第二型导电层背离所述有源区一侧表面的反射结构； 设置在所述反射结构背离所述第二型导电层一侧表面的保护层； 设置在所述保护层背离所述反射结构一侧表面的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一型导电层形成电连接，所述第二电极与所述第二型导电层形成电连接； 其中，在所述微型LED芯片的周围设置有凹凸曲面，所述凹凸曲面在所述非故意掺杂层以下靠近所述缓冲层的区域的最凹处半径大于在所述第一型导电层朝所述保护层方向一侧的凹凸曲面的最凹处半径； 其中，所述凹凸曲面部分具有规则曲面，所述凹凸曲面的最凹处半径不大于2um。
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