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龙图腾网获悉北京大学申请的专利基于忆阻器的存算一体时序同步计算单元及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115019852B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210459799.5，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权基于忆阻器的存算一体时序同步计算单元及方法是由高润雄;贾嵩;段杰斌设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于忆阻器的存算一体时序同步计算单元及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于忆阻器的存算一体时序同步计算单元及方法，包括：第一MOS管、第二MOS管、第一、第二忆阻器、电阻以及电流源；第一、第二忆阻器分别输入第一、第二控制电压；第一MOS管的栅极接收开关信号，漏极接收输入的计算电压，源极与忆阻器连接；第二MOS管的栅极与忆阻器连接，源极与电流源的正极连接，漏极输出计算结果；电阻的一端与第二MOS管的栅极连接，另一端与电源负极连接；电流源的负极与电源负极连接；当计算电压以及忆阻器的阻性满足预设条件的情况下，通过第二MOS管M2输出存算一体时序同步的计算结果。本发明能够通过第一忆阻器和第二忆阻器进行同步的乘加计算，实现保证计算过程的并行性，从而提高计算的精确度。

本发明授权基于忆阻器的存算一体时序同步计算单元及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于忆阻器的存算一体时序同步计算单元，其特征在于，包括：第一MOS管M1、第二MOS管M2、相互连接的第一忆阻器RRAM1和第二忆阻器RRAM2、电阻以及电流源； 在设置的时钟信号为时钟下降沿的情况下，所述第一忆阻器RRAM1和第二忆阻器RRAM2分别输入第一控制电压和第二控制电压以呈现不同的阻性； 所述第一MOS管M1的栅极接收开关信号，漏极接收输入的计算电压，源极与所述第一忆阻器RRAM1的一端连接； 在设置的时钟信号为时钟上升沿的情况下，且计算电压大于第一MOS管M1的阈值电压，第一MOS管MI导通； 所述第二MOS管M2的栅极与所述第二忆阻器RRAM2的一端连接，源极与所述电流源的正极连接，漏极输出计算结果； 所述第一MOS管M2输出的计算电压进行分压得到节点电压，在节点电压大于第二MOS管M2的阈值电压的情况下，第二MOS管M2导通； 所述电阻的一端与第二MOS管M2的栅极连接，另一端与电源负极连接；所述电流源的负极与电源负极连接； 当第一MOS管M1接收所述开关信号后，基于所述计算电压以及第一忆阻器RRAM1和第二忆阻器RRAM2的阻性，通过第二MOS管M2输出存算一体时序同步的计算结果。

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