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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种SOI横向器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020472B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210600616.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种SOI横向器件及制造方法是由章文通;刘腾;田丰润;张科;唐宁;何乃龙;张森;李肇基;张波设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SOI横向器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SOI横向器件结构及制造方法，包括衬底、埋氧层、漂移区、有源区，所述衬底、绝缘层和绝缘层上漂移区包括竖向导电结构，竖向导电结构在竖直方向上穿过绝缘层和绝缘层上硅的截面呈长条状；所述竖向导电结构还包括槽壁内低介电常数介质、多晶；所述有源区还包括源区、漏区。本发明在耦合电极与埋氧处的介质耐压随介电常数降低电场提升更大，在不影响比导的情况下，击穿电压更大。同时提供了一种深入埋层刻蚀的工艺方法，可将以往无法实现的器件通过本工艺手段从模型建立引入工程应用。

本发明授权一种SOI横向器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SOI横向器件，其特征在于包括： 衬底101； 埋氧层102，设于所述衬底101上； 漂移区105，设于所述埋氧层102上； 第一导电类型阱区111，位于漂移区105内部右侧，第二导电类型阱区110，位于漂移区105内部左侧，竖向导电结构104，位于第一导电类型阱区111和第二导电类型阱区110之间，从所述漂移区105向下延伸至所述埋氧层102； 第一低介电常数介质103，其介电常数低于二氧化硅，设于所述埋氧层102中，并包围所述竖向导电结构104的底部； 第二低介电常数介质118，设于所述竖向导电结构104的侧面，且位于所述竖向导电结构104与漂移区105之间、所述第一低介电常数介质103的上方； 所有的竖向导电结构104均位于第一导电类型阱区111和第二导电类型阱区110之间； 源极区113，位于第二导电类型阱区110中； 漏极区114，位于第一导电类型阱区111中，场氧层115，位于漂移区105的上方； 栅极116，设于所述源极区113和漏极区114之间的区域的上方； 其中，所述竖向导电结构104位于所述栅极116和漏极区114之间，所述源极区113、漏极区114及漂移区105具有第一导电类型； 衬底引出区112，具有第二导电类型，位于第二导电类型阱区110中，设于所述源极区113背离所述栅极116的一侧； 所述栅极116从所述源极区113边缘延伸至所述场氧层115上； 所述漂移区105设有至少一列所述竖向导电结构104，每列包括至少两个竖向导电结构，相邻列的竖向导电结构交错排列，且列方向与导电沟道长度方向在水平面上呈大于0度的夹角，每列底部深入埋氧的部分为圆球状或者椭圆球状；所述SOI横向器件还包括场氧层115上的至少一个导电等势条117，每个导电等势条117电连接一列竖向导电结构； 各所述导电等势条沿导电沟道宽度方向延伸。

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