无锡韦感半导体有限公司赵成龙获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡韦感半导体有限公司申请的专利一种微机械堆叠结构和连杆结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115028138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210706242.7，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种微机械堆叠结构和连杆结构及其制备方法是由赵成龙;万蔡辛;何政达;陈骁;巩啸风;蔡春华;蒋樱;林谷丰设计研发完成，并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微机械堆叠结构和连杆结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微机械堆叠结构和连杆结构及其制备方法；所述堆叠结构包括上结构层、下结构层和中间膜层；中间膜层沉积在下结构层上，刻蚀形成环形凹槽，沉积上结构层，凹槽内形成接触通道，图形化上结构层，释放接触通道外侧的中间膜层。所述连杆结构至少包括一个第一堆叠结构；所述第一堆叠结构包括上结构层、下结构层和中间膜层；中间膜层沉积在下结构层上，刻蚀形成环形凹槽，沉积上结构层，凹槽内形成接触通道，图形化上结构层，释放接触通道外侧的中间膜层。所述连杆结构还包括第一堆叠结构、第二堆叠结构、柱体或和传统结构；第二堆叠结构包括上层结构、填充结构、停止层和下层结构。本发明降低了连杆复合膜层材料薄膜残余应力的影响。
本发明授权一种微机械堆叠结构和连杆结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微机械堆叠结构1，所述堆叠结构1包括上结构层1‑1、下结构层1‑2和中间薄膜层1‑3，其特征在于，所述中间薄膜层1‑3沉积在下结构层1‑2上，并刻蚀形成环形凹槽后，沉积所述上结构层1‑1，所述凹槽内沉积形成接触通道1‑4，并释放所述接触通道1‑4外侧的中间薄膜层1‑3； 所述上结构层1‑1膜层和下结构层1‑2膜层的材料为硅、多晶硅、非晶硅或氮化硅的单一材料，或多晶硅和氮化硅的复合层，或非晶硅和氮化硅的复合层； 所述中间薄膜层1‑3的薄膜材料为氧化硅、硼硅玻璃、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃的单一材料，或由至少其中两种随机堆叠的复合材料。
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