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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利TMBS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083911B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210514537.4，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权TMBS器件及其制备方法是由孙超峰;邵向荣设计研发完成，并于2022-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本TMBS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种TMBS器件及其制备方法，其中方法包括：采用两次横向刻蚀工艺刻蚀ONO层；形成栅氧化层；形成多晶硅层；回刻部分多晶硅层；形成层间介质层以及去除层间介质层、ONO层和沟槽内的部分厚度的多晶硅层，以在沟槽内得到栅极。本申请通过横向刻蚀工艺刻蚀ONO层，并且所述ONO层的底部与所述栅氧化层衔接并覆盖所述栅氧化层的顶部，从而可以保护沟槽侧壁的栅氧化层在回刻部分多晶硅层时不会被回刻工艺误刻蚀，从而避免了栅氧化层缺失过多而导致漏电增大，提高了TMBS器件的良率。

本发明授权TMBS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TMBS器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上形成有堆叠的外延层和ONO层，其中，所述ONO层和所述外延层中形成有沟槽； 采用两次横向刻蚀工艺刻蚀所述ONO层，其中，所述ONO层从下往上依次包括：第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层； 形成栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述沟槽的底壁、侧壁，其中，所述ONO层的底部与所述栅氧化层衔接并覆盖所述栅氧化层的顶部，所述栅氧化层的厚度为100Å ~800Å； 形成多晶硅层，所述多晶硅层填充所述沟槽以及覆盖所述ONO层； 回刻所述ONO层上的所述多晶硅层以及所述沟槽内的第一厚度的所述多晶硅层； 形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述多晶硅层和所述ONO层；以及，去除所述层间介质层、所述ONO层和所述沟槽内的第二厚度的所述多晶硅层，以在所述沟槽内得到栅极； 其中，所述采用两次横向刻蚀工艺刻蚀所述ONO层的步骤包括： 采用第一横向刻蚀工艺刻蚀一定宽度的所述第二氧化硅层，其中，所述第一横向刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀溶液包括：NH4F溶液，刻蚀时间为3min~5min； 采用第二横向刻蚀工艺刻蚀一定宽度的所述氮化硅层，其中，靠近所述沟槽的所述氮化硅层的侧面凸出于所述第二氧化硅层的侧面，所述第一氧化硅层的侧面凸出于所述氮化硅层的侧面，其中，所述第二横向刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀溶液包括：磷酸溶液，刻蚀时间为19min~ 21min。

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