华邦电子股份有限公司欧阳自明获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110279314.X，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体结构及其制造方法是由欧阳自明;王春杰;李书铭设计研发完成，并于2021-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一基底以及设置于所述基底上的多条位线。根据一些实施例，所述多条位线各包括一第一导电层、一第二导电层及一硬质掩膜层，其中所述第一导电层位于基底上，所述第二导电层位于第一导电层上，所述硬质掩膜层位于第二导电层上。在一些实施例中，半导体结构还包括多个接触窗。所述接触窗位于所述基底上及两相邻的所述位线之间，其中所述接触窗的底面接触基底。根据一些实施例，接触窗的顶面不超过相邻的所述硬质掩膜层的顶面。本发明不但可大幅降低工艺成本，所制得的半导体结构亦具有廓形完整的相关构件而具有优异的电子特性。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一基底； 多条位线，位于所述基底上，所述多条位线各包括： 一第一导电层，位于所述基底上； 一第二导电层，位于所述第一导电层上；及一硬质掩膜层，位于所述第二导电层上； 多个接触窗，位于所述基底上及两相邻的位线之间，其中，所述多个接触窗的底面接触所述基底，所述多个接触窗的顶面不超过相邻的所述硬质掩膜层的顶面，其中所述多个接触窗各包括位于所述基底上的一底接触部以及位于所述底接触部上方的一顶接触部，所述顶接触部的顶面宽度大于所述底接触部的顶面宽度；以及多个接触插塞，分别设置于所述接触窗上并部分延伸至所述接触窗中，其中每一个所述接触插塞的一最底部设置在对应的所述接触窗之中，且该最底部的一侧壁与对应的所述接触窗的一侧壁直接接触。
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