华虹半导体(无锡)有限公司陈天获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利LDMOS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210514642.8，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权LDMOS器件及其制造方法是由陈天;吕伟杰;肖莉;王黎;陈华伦设计研发完成，并于2022-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本LDMOS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LDMOS器件，漂移区场氧中包括第一浅沟槽隔离，在第一浅沟槽隔离的靠近漏区的第二侧面底部的第二底角处形成有将第二底角包覆的第一导电类型重掺杂的掺杂区屏蔽层，在第一导电类型重掺杂的漏区接工作电压时，掺杂区屏蔽层不会被耗尽从而使漂移区场氧的第二底角的电场强度降低，提高器件的可靠性。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。
本发明授权LDMOS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括： 形成于第一外延层的选定区域中的第一导电类型掺杂的漂移区以及第二导电类型掺杂的体区； 在所述漂移区的选定区域中形成有漂移区场氧；所述漂移区场氧包括形成于第一浅沟槽中的第一浅沟槽隔离； 所述第一浅沟槽的第一侧面和所述体区具有间隔； 栅极结构覆盖在所述体区的选定区域的表面并从所述漂移区场氧的第一侧面延伸到所述漂移区场氧的顶部表面上； 第一导电类型重掺杂的源区形成在所述体区中并和所述栅极结构的第一侧面自对准； 第一导电类型重掺杂的漏区和所述漂移区场氧的第二侧面自对准；所述漏区形成于所述漂移区的表面区域中； 第一导电类型重掺杂的掺杂区屏蔽层形成于所述第一浅沟槽的第二底角处的所述漂移区中并将所述第二底角完全包覆，所述第一浅沟槽的第二底角为所述第一浅沟槽的第二侧面底部的底角，所述第一浅沟槽的第一底角为所述第一浅沟槽的第一侧面底部的底角； 所述第一浅沟槽的第二底角也为所述漂移区场氧的第二底角； 在所述漏区接工作电压时，所述掺杂区屏蔽层的第一导电类型重掺杂使得所述掺杂区屏蔽层不会被耗尽从而使所述漂移区场氧的第二底角的电场强度降低，提高器件的可靠性。
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