古河电气工业株式会社松原礼高获国家专利权
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龙图腾网获悉古河电气工业株式会社申请的专利半导体光器件及半导体光器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115088148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180013696.X，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权半导体光器件及半导体光器件的制造方法是由松原礼高;长谷川淳一;片山悦治;黑部立郎设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体光器件及半导体光器件的制造方法在说明书摘要公布了：半导体光器件例如具备：基座，与第一方向交叉；第一突出部，从基座向第一方向突出，具有平面光波电路，该平面光波电路具备芯层和将芯层包围的包层；第二突出部，从基座向第一方向突出，且与第一突出部排列在与第一方向交叉的第二方向上，第一方向上的距基座的高度要低于第一突出部；光半导体元件，被载置于第二突出部的第一方向的端面上，且与芯层光学性地连接；以及标记，在端面上露出地设置于第二突出部，且用与芯层相同的材料来制作。
本发明授权半导体光器件及半导体光器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体光器件，具备： 基座，与第一方向交叉； 第一突出部，从所述基座向所述第一方向突出，且具有平面光波电路，该平面光波电路具备芯层和将所述芯层包围的包层； 两个第二突出部，分别从所述基座向所述第一方向突出，与所述第一突出部排列在与所述第一方向交叉的第二方向上，且所述第一方向上的距所述基座的高度比所述第一突出部低； 光半导体元件，载置于所述第二突出部的所述第一方向的端面上，且与所述芯层光学性地连接； 标记，设置于所述第二突出部，以使在所述端面上露出，且用与所述芯层相同的材料来制作； 第一电极，设置于所述光半导体元件的所述第一方向的相反方向的端面且位于所述两个第二突出部之间； 导体，是位于所述两个第二突出部之间且与所述第一电极电连接的导电性膏； 粗糙面，在所述基座的所述第一方向的端面的、成为所述两个第二突出部之间的位置，与所述导电性膏相接且表面粗糙度比其他部位大； 第三突出部，从所述基座的成为所述两个第二突出部之间的位置向所述第一方向突出，且所述第一方向上的距所述基座的高度比所述两个第二突出部低；以及第三电极，设置于所述第三突出部的所述第一方向的端面，且与所述导体电连接。
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