上海华力集成电路制造有限公司徐晓林获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利去除伪栅多晶硅表面硬质掩膜层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101417B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210745932.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权去除伪栅多晶硅表面硬质掩膜层的方法是由徐晓林;曹亚民设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本去除伪栅多晶硅表面硬质掩膜层的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种去除伪栅多晶硅表面硬质掩膜层的方法，提供衬底，衬底上形成有均包括不同密度半导体结构的第一、二区域，半导体结构的最大高度为第一厚度；在衬底上形成覆盖第一、二区域的光刻胶层，其中二区域上的光刻胶层的厚度小于第一区域，且两者的高度差为第二厚度；刻蚀光刻胶层，使得第一、二区域上的光刻胶层的厚度差为小于第一厚度的第三厚度；在光刻胶层上继续旋涂光刻胶，使得第一、二区域上的光刻胶层的厚度差减少至小于第二厚度的第四厚度。本发明在通过光阻的半刻蚀技术降低各种图形结构之间的高度差并利用光阻再次涂布技术提高有源区光阻的的厚度，从而避免后续工艺过程中产生的缺陷问题。
本发明授权去除伪栅多晶硅表面硬质掩膜层的方法在权利要求书中公布了：1.一种去除伪栅多晶硅表面硬质掩膜层的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有均包括不同密度半导体结构的第一区域和第二区域，所述半导体结构为伪栅，且在所述第一区域上的密度大于在所述第二区域上的密度，所述半导体结构的最大高度为第一厚度； 步骤二、在所述衬底上形成覆盖第一、二区域的光刻胶层，其中所述第二区域上的所述光刻胶层的厚度小于所述第一区域，且两者的高度差为第二厚度； 步骤三、刻蚀所述光刻胶层，使得所述第一、二区域上的光刻胶层的厚度差为小于所述第一厚度的第三厚度； 步骤四、在所述光刻胶层上继续旋涂光刻胶，使得所述第一、二区域上的光刻胶层的厚度差减少至小于第二厚度的第四厚度； 步骤五、回刻所述光刻胶层及其下方所述第一、二区域上的所述半导体结构，使得所述第一、二区域上的所述半导体结构被刻蚀至所需高度，并且通过所述回刻去除所述伪栅上的氧化层。
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