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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置以及半导体系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117051B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110906326.0，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权半导体装置以及半导体系统是由濑下敏树;栗山保彦设计研发完成，并于2021-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及半导体系统在说明书摘要公布了：根据实施方式，第一P型晶体管中，栅极与第一节点连接，漏极与第二节点连接。第一N型晶体管中，栅极与第一节点连接，漏极与第二节点连接。第二P型晶体管中，栅极与第二节点连接，漏极与第三节点连接。第二N型晶体管中，栅极与第二节点连接，漏极与第三节点连接。第三N型晶体管中，栅极与第三节点连接，源极与第二电源线连接，漏极与第一电源线连接。第一P型晶体管比第一N型晶体管小。第二N型晶体管比第二P型晶体管小。第二N型晶体管比第一N型晶体管小。第一N型晶体管比第三N型晶体管小。

本发明授权半导体装置以及半导体系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，形成在绝缘体上硅基板即SOI基板上，该SOI基板具备基板、设置于所述基板上的绝缘体层以及设置于所述绝缘体层上的半导体层，该半导体装置具备： 第一电源线； 第二电源线； 多个第一二极管，在所述第一电源线与第一节点之间，以将所述第一电源线侧作为阳极的朝向被串联连接； 第一电阻，连接在所述第一节点与所述第二电源线之间； 第一P型晶体管，栅极与所述第一节点连接，源极与所述第一电源线连接，基体与所述第一电源线连接，漏极与第二节点连接； 第一N型晶体管，栅极与所述第一节点连接，源极与所述第二电源线连接，基体与所述第二电源线连接，漏极与所述第二节点连接； 第二P型晶体管，栅极与所述第二节点连接，源极与所述第一电源线连接，基体与所述第一电源线连接，漏极与第三节点连接； 第二N型晶体管，栅极与所述第二节点连接，源极与所述第二电源线连接，基体与所述第二电源线连接，漏极与所述第三节点连接；以及第三N型晶体管，栅极与所述第三节点连接，源极与所述第二电源线连接，基体与所述第二电源线连接，漏极与所述第一电源线连接，所述第一P型晶体管的栅极宽度除以栅极长度而得到的值，小于所述第一N型晶体管的栅极宽度除以栅极长度而得到的值，所述第二N型晶体管的栅极宽度除以栅极长度而得到的值，小于所述第二P型晶体管的栅极宽度除以栅极长度而得到的值，所述第二N型晶体管的栅极宽度除以栅极长度而得到的值，小于所述第一N型晶体管的栅极宽度除以栅极长度而得到的值，所述第一N型晶体管的栅极宽度除以栅极长度而得到的值，小于所述第三N型晶体管的栅极宽度除以栅极长度而得到的值，所述半导体层包含： 第一N型扩散区域及第二N型扩散区域，沿第一方向延伸，在与所述第一方向交叉的第二方向上排列设置； 第三N型扩散区域，沿所述第一方向延伸，在所述第二方向上设置在所述第一N型扩散区域与所述第二N型扩散区域之间； 第一P型扩散区域，包含：第一部分，设置在所述第一N型扩散区域与所述第三N型扩散区域之间；第二部分，设置在所述第二N型扩散区域与所述第三N型扩散区域之间；以及第三部分，将所述第三N型扩散区域在所述第一方向上断开，并将所述第一部分与所述第二部分连接；以及第二P型扩散区域，周围被所述第三N型扩散区域和所述第一P型扩散区域的所述第三部分包围，与所述第一P型扩散区域的所述第三部分在所述第一方向上接触，所述半导体装置还具备： 第一接触件，设置在所述第三N型扩散区域上； 第二接触件，设置在所述第二P型扩散区域上；以及布线，与所述第一接触件及所述第二接触件连接，所述第一N型扩散区域及所述第二N型扩散区域作为所述第三N型晶体管的漏极而发挥功能，所述第三N型扩散区域作为所述第三N型晶体管的源极而发挥功能，所述第一P型扩散区域作为所述第三N型晶体管的基体而发挥功能。

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