联合微电子中心有限责任公司张舒获国家专利权
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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利图像传感器及用于图像传感器的隔离散射结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110286937.X，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及用于图像传感器的隔离散射结构的制备方法是由张舒;袁恺;陈世杰;张斌设计研发完成，并于2021-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及用于图像传感器的隔离散射结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种图像传感器及用于图像传感器的隔离散射结构的制备方法。所述图像传感器包括：光电二极管；光程增强结构，所述光程增强结构包裹所述光电二极管；以及金属互联层，所述金属互联层位于所述光程增强结构及光电二极管的下方。本发明采用全包裹的光程增强结构，通过背面反射结构和侧面隔离散射结构相结合，增强光程，提高图像传感器的红外光的量子效率。
本发明授权图像传感器及用于图像传感器的隔离散射结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括： 光电二极管； 光程增强结构，所述光程增强结构全包裹所述光电二极管，所述光程增强结构包括：一反射层和一隔离散射结构，所述反射层位于光电二极管的下方，所述反射层用于反射背面的光，所述隔离散射结构位于所述反射层上方，所述隔离散射结构为三面包围型，包括背面散射结构和侧面散射结构，所述背面散射结构位于光电二极管的上方，所述背面散射结构和所述侧面散射结构具有图形化的表面，所述隔离散射结构能够散射侧面的光，在所述光电二极管上形成所述隔离散射结构，所述隔离散射结构的形成方法包括：在所述光电二极管上形成一图形化的凹槽阻挡层，刻蚀所述光电二极管，形成凹槽，对所述凹槽进行晶相选择性刻蚀，去除所述凹槽阻挡层，填充光束缚层和钝化层，形成所述隔离散射结构；以及金属互联层，所述金属互联层位于所述光程增强结构及光电二极管的下方。
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