株式会社理研藏前雅规获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社理研申请的专利近场用噪声抑制片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132158B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210160947.3，技术领域涉及：G10K11/162；该发明授权近场用噪声抑制片及其制造方法是由藏前雅规;广濑敬太设计研发完成，并于2022-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本近场用噪声抑制片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供一种近场用噪声抑制片，其在10GHz的虚部磁导率μ”为2.0以上，在超过10GHz的频带也显现出优异的噪声抑制性能且具有充分的可挠性。本发明的近场用噪声抑制片包含由有机物构成的基材和担载于上述基材中的扁平状的Fe粉末，上述Fe粉末的Fe含量为95mass％以上、厚度为1μm以下且粉末直径为20μm以下，Fe粉末相对于上述基材的填充量为40vol％以上且70vol％以下，在粉末X射线衍射中检测的Fe的bcc200面的峰的半宽度为0.4以上。
本发明授权近场用噪声抑制片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种近场用噪声抑制片，其包含由有机物构成的基材和担载于所述基材中的扁平状的Fe粉末，所述Fe粉末的Fe含量为95mass％以上、厚度为1μm以下且粉末直径为20μm以下，Fe粉末相对于所述基材的填充量为40vol％以上且70vol％以下，在粉末X射线衍射中检测的Fe的bcc200面的峰的半宽度为0.4以上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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