株式会社半导体能源研究所山崎舜平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利复合体及晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210549677.5，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权复合体及晶体管是由山崎舜平设计研发完成，并于2017-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合体及晶体管在说明书摘要公布了：本发明提供一种新颖的材料。本发明是一种混合有第一区域及多个第二区域的复合氧化物半导体。其中，第一区域至少含有铟、元素M元素M是Al、Ga、Y和Sn中的一个或多个及锌，多个第二区域含有铟和锌。由于多个第二区域具有比第一区域更高的铟浓度，所以多个第二区域具有比第一区域更高的导电性。多个第二区域中的一个的端部与多个第二区域中的另一个的端部重叠。多个第二区域被第一区域立体地围绕。
本发明授权复合体及晶体管在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包含： 晶体管，所述晶体管包含： 栅电极； 栅极绝缘膜；以及包含铟、元素M和锌的氧化物半导体层，其中，所述元素M是Al、Ga、Y和Sn中的一个或多个，所述氧化物半导体层包含第一区域和多个第二区域，所述多个第二区域中的每一个中In与所述元素M的原子个数比大于所述第一区域中In与所述元素M的原子个数比，所述多个第二区域中的每一个被所述第一区域包围，所述第一区域设置在所述多个第二区域中的每一个之间并与所述第二区域中的每一个接触，并且，所述多个第二区域中的一个与所述多个第二区域中的另一个彼此分开地设置。
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