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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种单片集成材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210652071.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种单片集成材料及其制备方法是由李国强;邢志恒;衣新燕;吴能滔;罗添友设计研发完成，并于2022-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单片集成材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单片集成材料及其制备方法，该单片集成材料可以进一步缩小射频前端模块的体积，避免前端模块分立器件集成时引入寄生损耗、响应延迟和噪声等问题；该单片集成材料的制备方法简单高效，为射频前端模块单片集成奠定基础，采用该单片集成材料降低了射频前端模块的成本，与现有的各种离散封装相比，本发明提供了一种集成封装的新思路，该单片集成材料可广泛应用于传感器、滤波器、GaN开关中。

本发明授权一种单片集成材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单片集成材料，其特征在于：所述单片集成材料包括： 衬底以及覆盖在所述衬底表面区域上的键合层； 形成于覆盖在所述键合层上的第一单晶层AlN； 形成于覆盖在所述第一单晶层AlN上的沟道层GaN； 形成于覆盖在所述沟道层GaN上的异质结； 其中，所述衬底的表面具有凹槽；所述凹槽位于所述衬底靠近所述第一单晶层AlN的表面上；所述单片集成材料还包括布拉格反射层，所述布拉格反射层嵌入在所述凹槽与所述第一单晶层AlN之间，且所述布拉格反射层贯通键合层； 所述单片集成材料的制备方法包括以下步骤： 1用金属有机物气相外延设备在第一衬底上依次外延生长基础层、应力过渡层、功能层，得到集成外延片；所述功能层依次包括层叠的第一单晶层AlN、沟道层GaN和异质结； 2将集成外延片倒置，将集成外延片的功能层异质结与涂覆有键合胶的第二衬底键合，然后采用激光剥离技术将应力过渡层分解剥离第一衬底，得到剥离的外延材料； 3将剥离的外延材料的应力过渡层进行刻蚀，刻蚀停止层为功能层，得到刻蚀后的外延材料； 4在第三衬底上分别依次制备空腔结构、布拉格反射层和键合层； 将所述刻蚀后的外延材料倒置，与所述第三衬底的键合层键合，然后剥离第二衬底，得到所述的单片集成材料。

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