华引芯(武汉)科技有限公司;华引芯(张家港)半导体有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉华引芯(武汉)科技有限公司;华引芯(张家港)半导体有限公司申请的专利垂直发光芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207172B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210630958.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权垂直发光芯片及其制备方法是由请求不公布姓名;李惠芸;刘芳;杨丹;方华;孙雷蒙设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直发光芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种垂直发光芯片及其制备方法，包括：在蓝宝石衬底上生长解离层；在解离层上生长介质层，在介质层远离解离层的表面形成锥形凸起阵列；在锥形凸起阵列上覆盖缓冲层，缓冲层远离锥形凸起阵列的表面平整；在缓冲层上按顺序依次生长发光功能层和导电功能层；激光照射至解离层，蓝宝石衬底剥离下来。通过以上方式，可以减少垂直发光芯片中蓝宝石平衬底上发光功能层位错密度，获得高质量发光功能层，且该垂直发光芯片的内量子效率提升5％‑20％，光提取效率改善1％‑5％，反向漏电流情况减小，L70寿命延长10％以上。
本发明授权垂直发光芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直发光芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在蓝宝石衬底上生长解离层； 在所述解离层上生长介质层，在所述介质层远离所述解离层的表面形成锥形凸起阵列； 在所述锥形凸起阵列上覆盖缓冲层，所述缓冲层远离所述锥形凸起阵列的表面平整，其中，所述在所述锥形凸起阵列上覆盖缓冲层，包括：在所述锥形凸起阵列的表面形成第一缓冲层，所述第一缓冲层的形状与所述锥形凸起阵列的形状一样，所述第一缓冲层的形成方式为物理溅射，所述第一缓冲层的厚度为0.3至1微米，所述第一缓冲层与解离层直接接触，所述解离层能够吸收激光的发射波长；在所述第一缓冲层之间的空隙中填充第二缓冲层，所述第二缓冲层填充所述第一缓冲层内锥形凸起之间的空隙并且所述第二缓冲层远离所述第一缓冲层的表面平整； 在所述缓冲层上按顺序依次生长发光功能层和导电功能层； 激光照射至所述解离层，所述蓝宝石衬底剥离下来，并去除所述第一缓冲层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华引芯(武汉)科技有限公司;华引芯(张家港)半导体有限公司，其通讯地址为：436000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉新能源研究院大楼G2栋2层2015-2019号(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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