买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115247058B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110467604.7，技术领域涉及：C09K11/02；该发明授权一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法是由何斯纳;吴龙佳;吴劲衡设计研发完成，并于2021-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法，涉及显示领域。其中，复合材料包括量子点和MXenes，量子点的金属原子通过配位键连接MXenes的表面基团。将本发明中的复合材料应用于量子点发光二极管中可以增加载流子注入速度，提升量子点发光二极管的性能。

本发明授权一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合材料，其特征在于，包括量子点和MXenes，所述量子点的金属原子通过配位键连接所述MXenes的表面基团，所述MXenes的表面基团为羟基、卤素基团中的一种或多种； 所述量子点选自CdSe、ZnSe、PbSe、CdTe、InP、GaN、GaP、AlP、InN、ZnTe、InAs、GaAs、CaF2、Cd1‑xZnxS、Cd1‑xZnxSe、CdSeyS1‑y、PbSeyS1‑y、ZnxCd1‑xTe、CdSZnS、Cd1‑xZnxSZnS、Cd1‑xZnxSeZnSe、CdSe1‑xSxCdSeyS1‑yCdS、CdSeCd1‑xZnxSeCdyZn1‑ySeZnSe、Cd1‑xZnxSeCdyZn1‑ySeZnSe、CdSCd1‑xZnxSCdyZn1‑ySZnS、NaYF4、NaCdF4、Cd1‑xZnxSeyS1‑y、CdSeZnS、Cd1‑xZnxSeZnS、CdSeCdSZnS、CdSeZnSeZnS、Cd1‑xZnxSeCdyZn1‑ySZnS、InPZnS中的一种或多种； 所述复合材料的制备方法包括：将分散有所述量子点的第一有机溶剂与所述MXenes混合反应； 所述MXenes的制备方法包括：将MAX相材料浸泡于温度为80～100℃的活性处理溶液中；其中活性处理溶液选自氢氟酸、盐酸与氟化物的混合液、碱液中的一种或多种。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人TCL科技集团股份有限公司，其通讯地址为：516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。