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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274668B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210560680.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备是由朱慧珑设计研发完成，并于2022-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备在说明书摘要公布了：公开了一种存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备。根据实施例，该存储器件可以包括：在竖直方向上依次设置的第一至第四连接线层，彼此相邻的连接线层分别包括沿彼此相交的方向延伸的导电线；多个存储单元，分别包括叠置的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管的第一有源层包括与第一连接线层中的相应导电线电连接的第一源漏区以及与第二连接线层中的相应导电线电连接的第二源漏区。第二晶体管的第二有源层包括与第一晶体管的栅导体层电连接的第一源漏区、与第三连接线层中的相应导电线电连接的第二源漏区。每个存储单元的第二晶体管的栅导体层电连接至第四连接线层中的相应导电线。

本发明授权存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，包括： 相对于衬底在竖直方向上依次设置的第一连接线层、第二连接线层和第三连接线层，其中，所述第一连接线层包括沿第一方向彼此平行延伸的多条第一导电线，所述第二连接线层包括沿与所述第一方向交叉的第二方向彼此平行延伸的多条第二导电线，以及所述第三连接线层包括沿所述第一方向彼此平行延伸的多条第三导电线； 多个存储单元，其中，每个存储单元从所述第一连接线层中的相应第一导电线竖直延伸穿过所述第二连接线层中的相应第二导电线和所述第三连接线层中的相应第三导电线，且包括在竖直方向上彼此叠置的第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管包括： 第一有源层，包括与所述第一连接线层中的相应第一导电线电连接的第一源漏区、与所述第二连接线层中的相应第二导电线电连接的第二源漏区以及所述第一源漏区与所述第二源漏区之间的沟道区； 所述第一有源层上的第一栅介质层；以及所述第一栅介质层上的第一栅导体层，所述第二晶体管包括： 第二有源层，包括与所述第一栅导体层电连接的第一源漏区、与所述第三连接线层中的相应第三导电线电连接的第二源漏区以及所述第一源漏区与所述第二源漏区之间的沟道区，其中所述第一有源层与所述第二有源层的相邻部分在竖直方向上实质上对准； 所述第二有源层上的第二栅介质层；以及所述第二栅介质层上的第二栅导体层； 第四连接线层，在所述存储单元上方，包括沿所述第二方向延伸的多条第四导电线，其中，每个存储单元的所述第二栅导体层电连接至所述第四连接线层中的相应第四导电线。

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