扬州乾照光电有限公司吴真龙获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州乾照光电有限公司申请的专利一种光电器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211007922.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种光电器件的制备方法是由吴真龙;张雷设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光电器件的制备方法，采用该制备方法制备光电器件外延片的过程中，给欧姆接触层背离衬底一侧设置与欧姆接触层晶格匹配的P化物保护层以及As化物盖层，可以有效阻挡外延片生长结束后，外延片腔体中的石英件和石墨件上的反应物沉积颗粒掉落到欧姆接触层上，在外延片生长结束后再去除P化物保护层以及As化物盖层，就可以得到膜层质量较好的欧姆接触层，从而使欧姆接触层能够形成更好的欧姆接触，进一步提高该光电器件的性能和芯片的良率。
本发明授权一种光电器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在外延片生长阶段提供一衬底；在所述衬底的一侧形成外延层；在所述外延层背离所述衬底的一侧，且在第一方向上依次形成欧姆接触层、P化物保护层以及As化物盖层，以阻挡所述外延片生长结束后，外延片腔体中的石英件和石墨件上的反应物沉积颗粒掉落到所述欧姆接触层上；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述欧姆接触层； 在所述外延片生长阶段结束之后的阶段将所述As化物盖层去除，暴露出所述P化物保护层；再将所述P化物保护层去除，暴露出所述欧姆接触层。
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