西安电子科技大学郑雪峰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利高耐压低导通电阻的鳍式氧化镓PN二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312604B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211032511.2，技术领域涉及：H10D8/20；该发明授权高耐压低导通电阻的鳍式氧化镓PN二极管及制备方法是由郑雪峰;何云龙;张超;洪悦华;张豪;马佩军;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本高耐压低导通电阻的鳍式氧化镓PN二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高耐压低导通电阻的鳍式氧化镓PN二极管及制备方法，主要解决现有同类器件击穿电压低、导通电阻大的问题。其自下而上包括：阴极1、氧化镓衬底2、n型氧化镓外延层3、半导体层4、阳极5，该氧化镓外延层上刻蚀多个沟槽形成鳍型结构6，该半导体层采用p型半导体材料，且完全沉积在鳍型结构的外部，使其与氧化镓外延层形成PN结二极管；该氧化镓衬底的001晶向与鳍型结构的朝向之间设有20°～60°的夹角，通过改变夹角，提高器件的击穿电压；该氧化镓外延层的掺杂载流子浓度为1015～1017cm‑3，掺杂离子为Si。本发明具有击穿电压高、导通电阻小的优点，可用于高耐压大功率电力电子系统。
本发明授权高耐压低导通电阻的鳍式氧化镓PN二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高耐压低导通电阻的鳍式氧化镓PN二极管，自下而上包括：阴极1、氧化镓衬底2、n型氧化镓外延层3、半导体层4、阳极5，该n型氧化镓外延层上3刻蚀多个沟槽形成鳍型结构6，其特征在于： 所述半导体层4，采用p型半导体材料，且完全沉积在鳍型结构6的外部，使其与n型氧化镓外延层3形成PN结二极管； 所述鳍型结构6的朝向为垂直于器件横截面的方向； 所述氧化镓衬底2的001晶向与鳍型结构6的朝向之间设有20°～60°的夹角，通过改变夹角，提高器件的击穿电压。
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