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龙图腾网获悉华灿光电(苏州)有限公司申请的专利提升亮度的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332418B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210924667.5，技术领域涉及：H10H20/833；该发明授权提升亮度的发光二极管及其制备方法是由石时曼;陈星宇;吴军;王江波设计研发完成，并于2022-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本提升亮度的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种提升亮度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：第一衬底、反射镜层、第一透明导电层、欧姆接触层和外延层；所述第一衬底、所述反射镜层、第一透明导电层和所述外延层依次层叠；所述第一透明导电层靠近所述外延层的表面具有多个凹槽，所述多个凹槽间隔分布；所述欧姆接触层包括位于所述多个凹槽中的块状结构。本公开实施例能减少半导体层对光线的吸收，提升发光二极管的亮度。

本发明授权提升亮度的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：第一衬底10、反射镜层30、第一透明导电层21、欧姆接触层和外延层20； 所述第一衬底10、所述反射镜层30、第一透明导电层21和所述外延层20依次层叠； 所述第一透明导电层21靠近所述外延层20的表面具有多个凹槽210，所述多个凹槽210间隔分布，所述多个凹槽210沿所述第一透明导电层21的边缘分布，所述第一透明导电层21的在所述第一衬底10上的正投影的外轮廓为矩形时，所述凹槽210分布在矩形的角部，或者，所述凹槽210沿矩形的侧边间隔分布，所述第一透明导电层21的厚度为5nm至500nm，所述凹槽210的深度小于所述第一透明导电层21的厚度； 所述欧姆接触层包括位于所述多个凹槽210中的块状结构25，所述块状结构25的横截面为矩形，所述块状结构25的横截面与所述第一衬底10垂直； 所述反射镜层30包括依次层叠于第一衬底10上的金属层31、第二透明导电层32和透明绝缘层33； 所述透明绝缘层33具有过孔330，所述第二透明导电层32通过所述过孔330与所述第一透明导电层21相连，所述透明绝缘层33的折射率与所述第一透明导电层21的折射率不同，所述透明绝缘层33的折射率与所述第二透明导电层32的折射率不同，所述透明绝缘层33具有多个所述过孔330，所述过孔330的横截面为矩形，所述过孔330的横截面与所述第一衬底10垂直，多个所述过孔330与多个所述凹槽210在所述第一衬底10上的正投影至少部分重合，所述凹槽210具有对应的所述过孔330，所述凹槽210与对应的所述过孔330在所述第一衬底10上的正投影至少部分重合。

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