深圳市德明利光电有限公司潘德烈获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市德明利光电有限公司申请的专利一种垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332943B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210828248.1，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权一种垂直腔面发射激光器及其制备方法是由潘德烈;李承远;李佳勋设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本申请的垂直腔面发射激光器的制备方法，包括：依次在衬底上形成刻蚀停止层、底部反射器、多量子阱层、顶部反射器以及顶部连接层，组成器件预制体；采用干法刻蚀在器件预制体的一侧沿层叠方向刻蚀至蚀刻入底部反射器；采用湿法刻蚀蚀刻底部反射器至露出刻蚀停止层；在露出的刻蚀停止层上形成负电极，在顶部连接层上形成正电极。本申请提供的垂直腔面发射激光器及其制备方法，能够提高负电极连接结构深度的一致性，进而提高垂直腔面发射激光器的串联电阻的稳定性。
本发明授权一种垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括： 依次在衬底上形成刻蚀停止层、底部反射器、多量子阱层、顶部反射器以及顶部连接层，组成器件预制体； 采用干法刻蚀在所述器件预制体的一侧沿层叠方向刻蚀至蚀刻入所述底部反射器； 采用湿法刻蚀蚀刻所述底部反射器至露出所述刻蚀停止层； 在露出的所述刻蚀停止层上形成负电极，在所述顶部连接层上形成正电极； 所述依次在衬底上形成刻蚀停止层、底部反射器、多量子阱层、顶部反射器以及顶部连接层，组成器件预制体包括： 采用气相沉积方法在所述衬底上沉积刻蚀停止材料以及掺杂材料形成刻蚀停止层，其中，所述刻蚀停止层重掺杂以与所述负电极形成欧姆接触，其中，掺杂浓度大于等于3e19cm3； 所述刻蚀停止材料采用磷化镓铟、磷砷镓和铝镓砷磷中的一种。
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