京东方科技集团股份有限公司杨维获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种显示基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347003B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211005264.7，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种显示基板及其制备方法、显示装置是由杨维;刘威;宁策;袁广才设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种显示基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一子栅极、第二子栅极和第一有源层，显示基板包括：第一子栅极，位于衬底基板的一侧；第一绝缘层，位于第一子栅极的背离衬底基板的一侧；第一有源层，位于第一绝缘层的背离衬底基板的一侧，第一有源层的材质包括氧化物半导体；第二绝缘层，位于第一有源层的背离衬底基板的一侧；第二子栅极，位于第二绝缘层的背离衬底基板的一侧，第二子栅极在衬底基板上的正投影包含第一子栅极在衬底基板上的正投影。本公开的技术方案，可以提高第一薄膜晶体管器件特性的稳定性，有利于提高产品的分辨率和开口率。
本发明授权一种显示基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其特征在于，包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一子栅极、第二子栅极和第一有源层，所述显示基板包括： 所述第一子栅极，位于衬底基板的一侧； 第一绝缘层，位于所述第一子栅极的背离所述衬底基板的一侧； 所述第一有源层，位于所述第一绝缘层的背离所述衬底基板的一侧，所述第一有源层的材质包括氧化物半导体； 第二绝缘层，位于所述第一有源层的背离所述衬底基板的一侧； 所述第二子栅极，位于所述第二绝缘层的背离所述衬底基板的一侧，所述第二子栅极在所述衬底基板上的正投影包含所述第一子栅极在所述衬底基板上的正投影； 其中，所述第二子栅极在所述第一有源层上对应的沟道包括位于中部的有效沟道以及位于所述有效沟道两侧的非有效沟道，所述有效沟道在第一方向上的尺寸大于所述第一子栅极在所述第一方向上的尺寸，所述第一方向为所述有效沟道和所述非有效沟道的排列方向。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方科技集团股份有限公司，其通讯地址为：100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励