昕原半导体(杭州)有限公司杨芸获国家专利权
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龙图腾网获悉昕原半导体(杭州)有限公司申请的专利阻变式存储器的下电极及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394911B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210628611.5，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权阻变式存储器的下电极及制备方法是由杨芸;仇圣棻;陈亮;潘国华设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本阻变式存储器的下电极及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种阻变式存储器的下电极及其制备方法，其中的制备方法包括：对底部介电层的表面进行平坦化处理，使填充在介电层内的导电材料层全部或部分裸露；对导电材料层进行回刻蚀，以及干法和或湿法清洗，以使导电材料层的表面高度低于介电层的表面；对裸露在介电层上端的导电材料层进行还原化处理，在导电材料层的表面选择性生长下电极层，并且，下电极层的表面高度不低于介电层的表面高度；在下电极层的上部生长阻变层及上电极叠层后，对得到的存储器基础结构依次进行刻蚀处理；对刻蚀后的存储器结构进行金属间介电质填充及平坦化处理，以完成阻变式存储器的下电极制备。利用上述发明能够简化阻变式存储器的制备工艺，提高制备质量。
本发明授权阻变式存储器的下电极及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阻变式存储器的下电极制备方法，其特征在于，包括： 对底部介电层的表面进行平坦化处理，使填充在所述介电层内的导电材料层全部或部分裸露；其中，在所述介电层上设置有至少一个电极通孔，所述电极通孔的截面形状为梯形，所述导电材料层填充在所述电极通孔内，且所述导电材料层的全部或部分结构裸露出所述电极通孔； 对所述导电材料层进行回刻蚀，以及干法和或湿法清洗，以使所述导电材料层的表面高度低于所述介电层的表面； 对裸露在介电层上端的导电材料层进行还原化处理，在所述导电材料层的表面选择性生长下电极层，并且，所述下电极层的表面高度不低于所述介电层的表面高度； 在所述下电极层的上部生长阻变层及上电极叠层后，对得到的存储器基础结构依次进行刻蚀处理； 对刻蚀后的存储器结构进行金属间介电质填充及平坦化处理，以完成阻变式存储器的下电极制备。
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