南京理工大学沈哲获国家专利权
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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一种二次相位调制的双层超表面消单色像差广角成像镜头获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115407493B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110592930.0，技术领域涉及：G02B13/06；该发明授权一种二次相位调制的双层超表面消单色像差广角成像镜头是由沈哲;黄鼎鑫;赵含章设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二次相位调制的双层超表面消单色像差广角成像镜头在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二次相位调制的双层超表面消单色像差广角成像镜头，该双层广角成像镜头的组成包括：基底L1、设置于L1上表面的纳米圆柱体阵列结构层M1和下表面的纳米圆柱体阵列结构层M2。其中，M1，根据ZEMAX的二元光学面2公式建立，有着矫正球差的功能；M2，由二次相位公式调制制成，可以消除带角度的光源入射聚焦后产生的彗差。该成像镜头工作时，带角度的光源从基底顶面的电介质圆柱体阵列结构层入射，穿过L1和M2，聚焦光线到传感器上。本发明使用纳米圆柱体阵列结构层，可用于聚焦大角度的入射光，且可以尽可能缩小系统的体积与重量，提升成像镜头的实际应用效果。
本发明授权一种二次相位调制的双层超表面消单色像差广角成像镜头在权利要求书中公布了：1.一种二次相位调制的双层超表面消单色像差广角成像镜头，其特征在于，所述成像镜头包括基底L1，和设置于该基底上下表面的用于调节相位和校正的超表面结构，其中，超表面结构为微纳电介质圆柱体结构层，其中的圆柱体为TiO2纳米圆柱体，设置于基底上表面的上层超表面结构M1用于消除球差，设置于基底下表面的下层超表面结构M2用于矫正斜入射光线的彗差； 其中，M2中TiO2纳米圆柱体的相位采用如下公式得到： 其中，将M2所在平面看为x‑y平面，M2法线轴看为z轴，为M2中TiO2纳米圆柱体的相位，i为TiO2纳米圆柱体的个数，k0为波矢，且k0＝2πλ，λ代表工作波长，f为焦距，r2＝x2+y2，x和y为每个TiO2纳米圆柱体在M2上排布的坐标位置，假设入射光束位于x‑z平面内，θ为入射光斜入射的角度。
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