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龙图腾网获悉江苏大学申请的专利一种双三相永磁电机低速无位置传感器控制的降噪方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425900B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211034553.X，技术领域涉及：H02P21/28；该发明授权一种双三相永磁电机低速无位置传感器控制的降噪方法是由赵文祥;邱先群;和阳;吉敬华;孙明阳;杜育轩;崔佳设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双三相永磁电机低速无位置传感器控制的降噪方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双三相永磁电机低速无位置传感器控制的降噪方法。该方法利用双三相永磁电机中两套绕组相对独立的特性，通过线性同余法生成两个随机数，同时完成信号随机选择和绕组随机选择，并将选择的电压信号注入到对应绕组中；同时，将两套绕组中的高频电流响应进行合成，建立了新的位置估计坐标系，设计了一种不需要解调信号的位置信息提取方法，最终获得电机转子位置和转速，实现双三相永磁电机无位置传感器控制。该方法能在信号注入法无位置传感器控制应用中减少响应电流中注入信号的分量，有效降低高频注入信号带来的噪音。同时降低了系统成本，并提高了可靠性，保证了双三相永磁电机低速无位置传感器的稳定运行。

本发明授权一种双三相永磁电机低速无位置传感器控制的降噪方法在权利要求书中公布了：1.一种双三相永磁电机低速无位置传感器控制的降噪方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，随机选择注入电压信号：根据电机参数确定两个不同频率的正弦电压信号，利用线性同余法生成第一个0～1的随机数来选择其中之一作为注入信号； 步骤2，随机选择绕组进行信号注入：利用线性同余法生成第二个0～1的随机数来确定电机的一套绕组进行注入，当完成一个周期的信号注入时，回到步骤1，并循环执行； 步骤3，对由注入信号引起的高频响应电流进行功率谱密度分析：推导响应电流的功率谱密度表达式，并分离电流的离散谱密度表达式，根据是否存在离散谱来确定是否存在功率谱密度尖峰； 步骤4，解调高频电流响应中的位置信息：先建立低速下电机的高频电感模型，求解定子坐标系下的高频电流，将两套绕组中的高频电流响应进行合成，建立了合成位置估计坐标系，并变换到解调坐标系中，经过低通滤波和归一化之后，最终利用一个正交锁相环估计得到位置角和转速； 步骤4中求解定子坐标系下的高频电流的具体步骤包括： 由于双三相永磁电机两套绕组参数相同，仅在空间上相差30°，即绕组2相对于绕组1滞后30°，以第一套绕组为例，根据电机的高频电感模型，当注入电压为下式时其中，和分别表示绕组1中估计dq轴的高频注入电压，Vh表示注入电压uinj的幅值，ωh表示注入电压的角频率，“^”表示估计的坐标轴或估计的分量； 定义从真实旋转坐标系到估计坐标系的派克变换Park矩阵派克反变换Anti‑Park为其中，位置估计误差θe1为绕组1的真实位置角，为绕组1的估计位置角，Δθe1为位置估计误差； 因此，计算得到旋转坐标系下的高频电流为其中，s为微分算子，id1h和iq1h分别为绕组1中dq轴的高频响应电流，Ldh和Lqh为电机dq轴高频电感； 同时进一步计算得到定子坐标系的高频电流表示为同理，得到绕组2的高频电流表示为其中，θe2为绕组2的位置角。

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