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龙图腾网获悉北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司申请的专利相变存储器的制备方法和相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115428159B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080099901.4，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权相变存储器的制备方法和相变存储器是由黄仕璋;李宜政;刘育宏设计研发完成，并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本相变存储器的制备方法和相变存储器在说明书摘要公布了：一种相变存储器的制备方法和相变存储器，包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括一衬底200，一底部电极201，一氮化物层203，一加热器207，所述加热器207位于所述氮化物层203内，以及所述加热器207两边的鳍状牺牲层206，所述鳍状牺牲层206可以被选择性腐蚀；选择性腐蚀所述鳍状牺牲层206，形成所述加热器207两边的鳍状凹槽；在所述鳍状凹槽处沉积氧化物层208并形成包围加热器的气隙208a；沉积图形化的相变材料层209和顶部电极210。由于气隙208a隔热性能比氮化物层或氧化物层更好，加热器207被气隙208a包围，横向热能耗散减少，热效率会更高，提升了相变存储器的性能。

本发明授权相变存储器的制备方法和相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一基底，所述基底包括一衬底，一底部电极，一第一氮化物层，一加热器，所述加热器位于所述第一氮化物层内，以及所述加热器两边的侧壁氮化物层以及鳍状牺牲层，所述鳍状牺牲层可以被选择性腐蚀； 选择性腐蚀所述鳍状牺牲层，形成所述加热器两边的鳍状凹槽，所述加热器两边有所述侧壁氮化物层； 在所述鳍状凹槽处沉积氧化物层并形成包围所述加热器的气隙，所述气隙和所述氧化物层位于所述侧壁氮化物层和所述第一氮化物层之间； 沉积图形化的相变材料层和顶部电极； 所述基底的形成进一步是： 提供所述衬底，所述衬底表面具有所述底部电极； 在所述底部电极表面形成鳍状氧化物； 在所述鳍状氧化物的周围形成所述第一氮化物层； 继续在所述第一氮化物层的表面形成图形化的氧化物层和第二氮化物层，所述鳍状氧化物暴露于所述图形化的氧化物层和所述第二氮化物层的镂空处； 选择性腐蚀所述鳍状氧化物，形成所述鳍状凹槽； 在所述鳍状凹槽内沉积牺牲层以填充凹槽，形成所述鳍状牺牲层； 在所述鳍状牺牲层的中部形成键孔，所述键孔至暴露出所述底部电极，所述键孔两侧留有所述侧壁氮化物层； 减薄至所述氧化物层； 在所述键孔处沉积所述加热器； 减薄至所述第一氮化物层。

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