华邦电子股份有限公司高场裕之获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458682B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210039191.7，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权半导体装置及其制造方法是由高场裕之设计研发完成，并于2022-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括着陆垫以及设置于着陆垫上且与着陆垫电性连接的电容器。电容器包括圆柱形底电极、介电层以及顶电极。圆柱形底电极设置于着陆垫上且与着陆垫接触，其中圆柱形底电极的内表面包括多个凸部，且圆柱形底电极的外表面包括多个凹部。介电层共形地设置在圆柱形底电极的内表面及外表面上，且覆盖圆柱形底电极的多个凸部及多个凹部。顶电极共形地设置在圆柱形底电极的内表面及外表面上方的介电层上。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 着陆垫； 电容器，设置于所述着陆垫上且与所述着陆垫电性连接，其中所述电容器包括： 圆柱形底电极，设置于所述着陆垫上且与所述着陆垫接触，其中所述圆柱形底电极的内表面包括多个凸部，且所述圆柱形底电极的外表面包括多个凹部； 介电层，共形地设置在所述圆柱形底电极的所述内表面及所述外表面上，且覆盖所述圆柱形底电极的所述多个凸部及所述多个凹部；以及顶电极，共形地设置在所述圆柱形底电极的所述内表面及所述外表面上方的所述介电层上； 支撑结构，自所述圆柱形底电极的所述外表面支撑所述电容器；以及多个岛状结构，夹设在所述支撑结构的侧壁与所述圆柱形底电极的所述外表面之间，并与所述支撑结构直接接触。
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