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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种具有全沟槽结构的自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472675B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211168956.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有全沟槽结构的自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管是由张金平;兰逸飞;黄云翔;张波设计研发完成，并于2022-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有全沟槽结构的自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有全沟槽结构的自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。本发明通过版图走线引出过渡区浮空P区电位，通过模块封装将二极管与电容集成，使得C串联于分裂栅11‑1、11‑2、11‑3、11‑4、11‑5、11‑6与发射极金属1之间。利用器件阻断时浮空P区电位给电容充电，从而为分离栅提供偏置电位，故分离栅也具有一个稳定的电位，该电位吸引分离栅附近的电子积累形成电子积累层，该积累层提高了沟道的注入效率，进一步提升了漂移区电导调制效应，降低了器件的正向导通压降。

本发明授权一种具有全沟槽结构的自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管在权利要求书中公布了：1.一种具有全沟槽结构的自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括相邻设置的有源区和过渡区，所述有源区的元胞结构包括：集电极金属10、P型集电区9、N型电场阻止层8、N‑漂移区7、P型基区4、N+发射区3、P+发射区2、浮空P区13、分裂栅结构、第一至第五沟槽发射极结构与第一发射极金属1‑1；集电极金属10、P型集电区9、N型电场阻止层8和N‑漂移区7由下至上依次层叠设置； 所述分裂栅结构位于所述N‑漂移区7的顶层一侧，第一至第五沟槽发射极结构依次间隔位于所述N‑漂移区7的顶层另一侧，相邻的沟槽发射极结构之间的所述N‑漂移区7的顶层具有浮空P区13，所述P型基区4位于第一沟槽发射极结构和所述分裂栅结构之间的所述N‑漂移区7的顶层，所述N+发射区3和所述P+发射区2侧面相互接触的位于所述P型基区4的顶层，所述第一发射极金属1‑1位于所述N+发射区3和所述P+发射区2上； 所述分裂栅结构包括第一分裂栅11‑1和沟槽栅5，所述沟槽栅5位于所述第一分裂栅11‑1上，且第一分裂栅11‑1和沟槽栅5之间具有沟槽氧化层6，第一分裂栅11‑1和沟槽栅5与N‑漂移区7、P型基区4和N+发射区3之间具有沟槽氧化层6； 所述过渡区的元胞结构包括：集电极金属10、P型集电区9、N型电场阻止层8、N‑漂移区7、浮空P区13、第六至第八沟槽发射极结构、金属层14与第二发射极金属1‑2；集电极金属10、P型集电区9、N型电场阻止层8和N‑漂移区7由下至上依次层叠设置； 所述第六至第八沟槽发射极结构依次间隔位于所述N‑漂移区7的顶层一侧，相邻的沟槽发射极结构之间的所述N‑漂移区7的顶层中具有浮空P区13，所述N‑漂移区7的顶层另一侧中也具有浮空P区13，第二发射极金属1‑2位于所述第六沟槽发射极结构和第七沟槽发射极结构之间的浮空P区13上，金属层14位于所述第七沟槽发射极结构和第八沟槽发射极结构之间的浮空P区13上； 所述第一至第八沟槽发射极结构均包括沟槽发射极、分裂栅和沟槽氧化层6，所述分裂栅位于所述沟槽发射极下，第五沟槽发射极12‑5和第六分裂栅11‑6的侧面分别与第六沟槽发射极12‑6和第七分裂栅11‑7的侧面相互接触，且所述沟槽发射极和所述分裂栅之间以及所述沟槽发射极和所述分裂栅的侧面均具有沟槽氧化层6； 过渡区元胞结构中的浮空P区13通过金属层14连接到外置二极管的P区，有源区元胞结构中的分裂栅连接到外置二极管的N区，外置电容连接到第一分裂栅11‑1与第一发射极金属1‑1之间。

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