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龙图腾网获悉中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种IGBT晶圆加工工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483146B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211082867.7，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权一种IGBT晶圆加工工艺是由严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGBT晶圆加工工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体加工技术领域，具体的是一种IGBT晶圆加工工艺，本发明包括S1、完成晶圆正面金属制程前的工艺；S2、晶圆背面的减薄；S3、蚀刻晶圆背面形成缓坡；S4、完成晶圆背面制程；S5、背面涂布聚酰亚胺，键合玻璃载板；S6、完成晶圆正面制程；S7、通过蚀刻、激光完成切割，除去正面的聚酰亚胺；S8、对晶圆的边缘进行切割；S9、将切割好后的晶圆贴附在第一切割模框上，洗去背面的聚酰亚胺；本发明通过在晶圆背面做缓坡状处理可以在边缘提供应力支撑，同时本发明晶圆背面涂布聚酰亚胺并与玻璃载板键合，可以缓冲金属厚膜应力，确保薄晶圆在厚金属镀膜后不至翘曲破损。

本发明授权一种IGBT晶圆加工工艺在权利要求书中公布了：1.一种IGBT晶圆加工工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1、完成晶圆正面金属制程前的工艺； S2、将晶圆正面粘附研磨胶带，对晶圆的背面进行减薄，然后移除研磨胶带，并将晶圆正面吸附在带有吸附孔的第一玻璃载盘上； S3、对晶圆的侧壁进行封边，然后对晶圆正面的中心处进行蚀刻，并让晶圆的边缘形成缓坡状； S4、完成晶圆背面制程； S5、在晶圆背面涂布聚酰亚胺使背面整平，然后将晶圆背面吸附在带有吸附孔的第二玻璃载盘上，接着通过激光将晶圆的封边切断，将第一玻璃载盘连同切断的晶圆封边一起去除； S6、翻转至晶圆正面，在晶圆正面涂布聚酰亚胺，通过显影、固化、蚀刻后裸露出PAD生长间隙与切割道； S7、先制作正面金属PAD制程，然后通过电浆蚀刻切割道至背面金属层，再通过激光切断背面金属； S8、在晶圆正面的边缘处涂覆光阻，洗去晶圆正面中心处的聚酰亚胺，接着，通过激光对晶圆的边缘进行切割； S9、将切割好之后的晶圆翻转使正面贴附在切割模框上，将第二玻璃载盘连同被切断的晶圆一起去除，洗去晶圆背面的聚酰亚胺； 所述S1中正面金属制程前的工艺包括沟槽、ILD和接触孔工艺； 所述S3中的封边采用SOG技术、CVD技术或碳沉积技术； 所述背面金属制程包括光刻、离子植入、背面金属及回火制程。

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