无锡华润上华科技有限公司张森获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利逆导型横向绝缘栅双极型晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110600489.6，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权逆导型横向绝缘栅双极型晶体管是由张森;顾炎;陈思宇设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本逆导型横向绝缘栅双极型晶体管在说明书摘要公布了：本申请实施例提供的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管，包括：形成于衬底上的漂移区，位于所述漂移区上的栅极，位于漂移区上且靠近栅极一侧的发射极区域，以及位于漂移区上且远离栅极一侧的集电极区域；其中，在漂移区的集电极区域所在的一侧设置有两个以上间隔布置的N阱区；在两个以上间隔布置的N阱区之间设置有P阱区；在N阱区上设置有P+接触区；在P阱区上设置有N+接触区；P+接触区和N+接触区均与集电极引出端导电连接；如此，不仅使得改进后的器件结构无需额外再并联FWD来续流，而且提升了整个器件的开关特性。
本发明授权逆导型横向绝缘栅双极型晶体管在权利要求书中公布了：1.一种逆导型横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：形成于衬底上的漂移区，位于所述漂移区上的栅极，位于所述漂移区上且靠近所述栅极一侧的发射极区域，以及位于所述漂移区上且远离所述栅极一侧的集电极区域；其中，在所述漂移区的所述集电极区域所在的一侧设置有两个以上间隔布置的N阱区； 在两个以上间隔布置的所述N阱区之间设置有P阱区； 在所述N阱区上设置有P+接触区； 在所述P阱区上设置有N+接触区； 所述P+接触区和所述N+接触区均与集电极引出端导电连接； 两个以上间隔设置的所述N阱区至少包括第一N阱区和第二N阱区；所述P阱区至少包括设置在所述第一N阱区和所述第二N阱区之间的第一P阱区； 所述第一N阱区、所述第一P阱区和所述第二N阱区沿所述发射极区域到所述集电极区域的方向依次布置； 所述第一N阱区和所述第二N阱区的面积相等，且所述第一N阱区和所述第二N阱区相对于所述第一P阱区对称分布。
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