长江存储科技有限责任公司黎姗获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497977B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211137926.6，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统是由黎姗;方语萱;夏志良设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，以提高半导体结构的存储密度。半导体结构包括第一堆叠结构、存储结构和导电层。第一堆叠结构包括第一介质层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一沟道层、栅线层和板线层；第一沟道层贯穿栅线层，且第一沟道层的一端与板线层接触，第二绝缘层的至少部分位于第一沟道层和栅线层之间，以及栅线层和板线层之间。存储结构包括多个铁磁自由层、隧穿层和铁磁钉扎层。每个铁磁自由层与第一沟道层的另一端接触，隧穿层设置于多个铁磁自由层和铁磁钉扎层之间。导电层位于铁磁钉扎层远离隧穿层的一侧。半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
本发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一堆叠结构，包括叠置的多个子堆叠结构，沿所述多个子堆叠结构叠置的方向，所述子堆叠结构包括层叠设置的第一介质层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一沟道层、栅线层和板线层；所述第一沟道层贯穿所述栅线层，且所述第一沟道层的一端与所述板线层接触，所述第二绝缘层的至少部分位于所述第一沟道层和所述栅线层之间，以及所述栅线层和所述板线层之间； 存储结构，贯穿所述第一堆叠结构；所述存储结构包括多个铁磁自由层、隧穿层和铁磁钉扎层；每个铁磁自由层与一个所述子堆叠结构的第一沟道层的另一端接触，所述隧穿层设置于所述多个铁磁自由层和所述铁磁钉扎层之间； 导电层，贯穿所述第一堆叠结构；所述导电层位于所述铁磁钉扎层远离所述隧穿层的一侧，且与位线耦接。
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