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龙图腾网获悉上海美维科技有限公司申请的专利一种半导体封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211168023.4，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种半导体封装结构及其制备方法是由颜国秋;上官昌平;查晓刚;王建彬;付海涛;杜玲玲设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，半导体封装结构包括：载板、第一线路层、第二线路层、第一重布线层、硅中介层、第一半导体组和第二半导体组。本发明通过硅中介层连接第一半导体组内的芯片，缩小了水平方向芯片之间的传输距离，从而提高半导体封装结构中可实现的芯片密度，提高水平方向芯片之间的传输速度；同时利用内埋芯片、设置重布线层的结构替换传统连接载板，使硅中介层的设置不增加器件厚度；另外，配合第一半导体组和第二半导体组中将不同制程工艺需求的芯片模块芯粒化并独立制备，降低半导体封装结构的制备成本、设计成本和设计难度，提高芯片模块的重复使用灵活性和制备效率。

本发明授权一种半导体封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：载板、第一线路层、第二线路层、第一重布线层、硅中介层、第一半导体组和第二半导体组； 所述载板包括相对设置的第一板面和第二板面，所述载板中设置有贯穿所述第一板面和第二板面的贯通槽和导电孔，所述第二半导体组埋入于所述贯通槽内；所述载板的第一板面形成有所述第一线路层，所述载板的第二板面形成有第二线路层，所述第一线路层与所述第二线路层通过贯穿所述载板的所述导电孔形成有效电连接，所述第二线路层形成有焊球； 所述第一重布线层包括相对的第一布线面和第二布线面，所述第一重布线层的第二布线面通过所述第一线路层设置于所述载板的第一板面，所述第一重布线层的第二布线面通过所述第一线路层与所述第二半导体组形成有效电连接； 所述硅中介层包括相对设置的第一中介面和第二中介面，所述硅中介层中设置有贯穿所述硅中介层的导电硅通孔，所述硅中介层的第二中介面设置于所述第一重布线层的第一布线面上，所述导电硅通孔与所述第一重布线层形成有效电连接，所述第一半导体组设置于所述硅中介层的第一中介面上并与所述导电硅通孔形成有效电连接； 所述硅中介层包括多层硅片，所述多层硅片压制形成所述硅中介层，所述多层硅片中相邻硅片之间通过所述导电硅通孔和金属凸点进行连接。

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