北京集创北方科技股份有限公司黄海波获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集创北方科技股份有限公司申请的专利半导体器件结构形成方法、感光组件、传感器、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513242B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211357551.4，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权半导体器件结构形成方法、感光组件、传感器、电子设备是由黄海波;李伟江;陈飞祥;杨俊;胡丹丹;桑田设计研发完成，并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件结构形成方法、感光组件、传感器、电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件结构形成方法、感光组件、传感器、电子设备，所述方法包括：在衬底上形成注入掩膜；在所述注入掩膜的一侧进行一次第一离子注入、K次第二离子、K次第三离子注入，形成一个具有第一深度的P+型掺杂区域、及堆叠的K个掺杂区域组，每个掺杂区域组均包括第一N型掺杂区域、及P型掺杂区域；在所述注入掩膜的另一侧进行第四离子注入，形成第二N型掺杂区域；去除所述注入掩膜，并在所述注入掩膜的位置形成电极层，得到半导体器件结构，进而得到光传感组件，从而实现多种频段的光能量进行采集及分离，通过与拜尔滤色镜配合，可以实现以较高的分辨率对多种频段的光能量进行采集及分离。
本发明授权半导体器件结构形成方法、感光组件、传感器、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构形成方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上形成注入掩膜； 在所述注入掩膜的一侧进行一次第一离子注入、K次第二离子、K次第三离子注入，形成一个具有第一深度的P+型掺杂区域、及K个掺杂区域组，每个掺杂区域组均包括具有第二深度的第一N型掺杂区域且所述第二深度大于所述第一深度、及第三深度的P型掺杂区域且所述第三深度大于所述第二深度，其中，K＞1且为正整数，各个掺杂区域组堆叠，各个掺杂区域组的掺杂深度依次增加； 在所述注入掩膜的另一侧进行第四离子注入，形成第二N型掺杂区域； 去除所述注入掩膜，并在所述注入掩膜的位置形成电极层。
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