三菱电机株式会社曾根田真也获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528025B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210827989.8，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权半导体装置是由曾根田真也;小西和也;古川彰彦设计研发完成，并于2022-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：目的在于提供与输入电容及反馈电容的控制相关的频率响应性提高的半导体装置。半导体装置具有电容调整区域。电容调整区域包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层及多个控制沟槽栅极。第1半导体层是作为半导体基板的上表面的表层而设置的。第2半导体层选择性地设置于第1半导体层的上表面侧。第2半导体层与多个控制沟槽栅极的侧面接触。第1半导体层、第2半导体层与晶体管的发射极电极电连接。至少1个控制沟槽栅极的控制沟槽电极与晶体管的栅极电极电连接。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有： 半导体基板； 晶体管区域，其设置于所述半导体基板，所述晶体管区域包含晶体管；以及电容调整区域，其设置于所述半导体基板，所述电容调整区域包含： 第1导电型的第1半导体层，其是作为所述半导体基板的上表面的表层而设置的； 第2导电型的第2半导体层，其作为所述半导体基板的所述表层而选择性地设置于所述第1半导体层的上表面侧；以及多个控制沟槽栅极，它们各自包含控制沟槽绝缘膜和控制沟槽电极，所述控制沟槽绝缘膜形成于从所述半导体基板的所述上表面将所述第2半导体层贯通且在所述第1半导体层内具有前端的沟槽的内壁，所述控制沟槽电极隔着所述控制沟槽绝缘膜而形成于所述沟槽的内部，所述第2半导体层与所述多个控制沟槽栅极的侧面接触，所述第1半导体层、所述第2半导体层与所述晶体管的发射极电极电连接，所述多个控制沟槽栅极中的至少1个控制沟槽栅极的所述控制沟槽电极与所述晶体管的栅极电极电连接。
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