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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利宽波束双圆极化超表面天线单元、实现方法及相控阵天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528424B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211147510.2，技术领域涉及：H01Q1/50；该发明授权宽波束双圆极化超表面天线单元、实现方法及相控阵天线是由杨琬琛;吴俊宇;李靖豪;车文荃;薛泉设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽波束双圆极化超表面天线单元、实现方法及相控阵天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽波束双圆极化超表面天线单元、实现方法及相控阵天线，包括天线馈电结构、天线辐射体结构及天线宽波束结构，所述天线馈电结构包括环形带状线、交叉缝隙及金属化过孔，所述天线辐射体结构包括主超表面及寄生超表面，所述天线宽波束结构包括寄生槽和接地柱。本发明实现宽增益波束和宽轴比波束的双圆极化天线。

本发明授权宽波束双圆极化超表面天线单元、实现方法及相控阵天线在权利要求书中公布了：1.一种宽波束双圆极化超表面天线单元，其特征在于，包括： 天线馈电结构，包括环形带状线、交叉缝隙及金属化过孔，所述环形带状线印制在第一介质基板上，所述第一介质基板的下表面设置下层金属地板，所述交叉缝隙印制在第二介质基板上，所述第二介质基板的上表面印制上层金属地板，所述金属化过孔位于上层金属地板和下层金属地板之间； 所述环形带状线为左右对称，所述环形带状线的两端为阻抗变换段，中间环形部分为辐射段； 所述交叉缝隙为左右对称结构，刻蚀在第二介质基板上，由偶数根缝隙交叉构成，各个缝隙的长短及宽度均不同； 通过调整环形微带线中间部分的宽度和交叉缝隙的长宽，使得正交电场幅度相等，最终形成宽轴比波束的右旋或左旋圆极化； 天线辐射体结构，包括主超表面及寄生超表面，所述主超表面印制在第三介质基板上，所述寄生超表面印制在第四介质基板上，主超表面和寄生超表面构成叠层超表面； 天线宽波束结构，包括寄生槽和接地柱，所述寄生槽印制在第四介质基板上，所述寄生超表面设置在寄生槽内，所述接地柱位于寄生槽和上层金属地板之间； 所述寄生槽为八边形寄生槽，所述八边形寄生槽内边缘加载接地柱，所述加载接地柱数量为n≥3个； 再加入八边形寄生槽后，本发明的辐射部分包括主超表面与金属地板间的缝隙和寄生超表面与八边形寄生槽间的缝隙，八边形寄生槽尺寸越小，与寄生超表面的距离越近，等效口径面积越小，波束宽度越大，但同时会恶化单元内的极化隔离度，需要根据实际所需扫描角确定单元波束宽度，以确定八边形寄生槽的尺寸； 所述第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板及第四介质基板按照由下至上的顺序压合一起。

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