武汉格物感知信息科技有限公司陶光明获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉格物感知信息科技有限公司申请的专利一种降温制品及全太阳光谱高反射面料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115593062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110780815.6，技术领域涉及：B32B27/36；该发明授权一种降温制品及全太阳光谱高反射面料的制备方法是由陶光明;曾少宁设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降温制品及全太阳光谱高反射面料的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种降温制品，其特征在于，其包括由多根微纳米纤维缠绕交织形成的具有微纳米孔隙的全太阳光谱高反射膜以及基底材料；所述各微纳米纤维通过微纳米球连接；其中所述全太阳光谱高反射膜中的直径为10nm～10μm的微纳米球和直径为10nm～10μm的微纳米孔隙的总体积占所述全太阳光谱高反射膜的体积的10％～90％，优选为50％～90％，更优选为70％～90％。还公开一种全太阳光谱高反射面料的制备方法，其特征在于，其包括下述步骤：制备制冷基布；制备全太阳光谱高反射膜；将所述全太阳光谱高反射膜复合在所述制冷基布上，得到所述全太阳光谱高反射面料。
本发明授权一种降温制品及全太阳光谱高反射面料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种降温制品，其特征在于，其包括由多根微纳米纤维缠绕交织形成的具有微纳米孔隙的全太阳光谱高反射膜以及基底材料；所述微纳米纤维之间通过微纳米球连接； 其中所述全太阳光谱高反射膜中的直径为100nm~1000nm的微纳米球和直径为100nm~1000nm的微纳米孔隙的总体积占所述全太阳光谱高反射膜的体积的70%~90%； 所述全太阳光谱高反射膜的厚度为40μm~60μm； 所述微纳米纤维和微纳米球的材料为聚四氟乙烯PTFE或聚氨基甲酸酯PU； 其中所述基底材料为制冷基布，所述制冷基布由无机微纳米颗粒和聚合物基底组成，所述制冷基布中包括质量百分含量为40wt.%~50wt.%的无机微纳米颗粒。
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