哈尔滨工业大学丁卫强获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利基于横向自旋匹配机制的波导-拓扑光子晶体耦合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115616704B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211293938.8，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权基于横向自旋匹配机制的波导-拓扑光子晶体耦合结构是由丁卫强;史博建;曹永印;冯睿;孙芳魁设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于横向自旋匹配机制的波导-拓扑光子晶体耦合结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于横向自旋匹配机制的波导‑拓扑光子晶体耦合结构，包括输入波导、拓扑光子晶体板、输出波导，入射光沿着+x方向上输入，经输入波导耦合进入拓扑光子晶体板，随后从拓扑光子晶体板耦合进入输出波导，所述输入波导由条形波导和耦合优化区域构成，耦合优化区域划分为正方形网格，每个网格由空气和硅两种材料填充，“1”代表填充硅材料，“0”代表填充空气，整个耦合优化区域用“0”、“1”矩阵表示，通过基因遗传优化算法优化耦合优化区域，实现波导‑拓扑光子晶体高效耦合。本发明在保持高效率耦合的同时，结合拓扑光子晶体免疫缺陷和背向散射特性，为集成光学芯片的实现提供了强有力的支撑。
本发明授权基于横向自旋匹配机制的波导-拓扑光子晶体耦合结构在权利要求书中公布了：1.一种基于横向自旋匹配机制的波导‑拓扑光子晶体耦合结构，其特征在于所述波导‑拓扑光子晶体耦合结构包括输入波导、拓扑光子晶体板、输出波导，入射光沿着+x方向上输入，经输入波导耦合进入拓扑光子晶体板，随后从拓扑光子晶体板耦合进入输出波导，输入波导由条形波导和耦合优化区域构成，耦合优化区域划分为正方形网格，每个网格由空气和硅两种材料填充，“1”代表填充硅材料，“0”代表填充空气，整个耦合优化区域用“0”、“1”矩阵表示，通过基因遗传优化算法优化耦合优化区域，随机获得“0”、“1”矩阵得到对应输出波导透射率和输入波导横向自旋匹配分布，经过多次迭代得到最优的耦合优化区域，实现波导‑拓扑光子晶体高效耦合；所述拓扑光子晶体板为基于量子自旋霍尔效应或量子谷霍尔效应的拓扑光子晶体板。
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