长鑫存储技术有限公司邱少稳获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种量测标记、量测版图及量测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115616861B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110799419.8,技术领域涉及:G03F7/20;该发明授权一种量测标记、量测版图及量测方法是由邱少稳设计研发完成,并于2021-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种量测标记、量测版图及量测方法在说明书摘要公布了:本公开提供一种量测标记、量测版图及半导体结构的量测方法,其中,量测标记包括第一图案、第二图案和第三图案,第一图案包括沿第一方向延伸且在第二方向平行间隔设置的多个第一标记,第二图案包括交错间隔设置的多个第二标记,第三图案包括交错间隔设置的多个第三标记;量测标记在衬底的投影中,在第一方向上,第二标记的投影将第一标记的投影隔断;第二图案的投影与第三图案的投影不重叠,且,第三图案的投影与第二图案的投影在第三方向存在偏移距离;第一方向与第二方向垂直,第三方向与第一方向不同。该量测标记的适用范围更广,且一定程度提高了套刻误差的量测精度和效率,可提升产品良率。
本发明授权一种量测标记、量测版图及量测方法在权利要求书中公布了:1.一种量测标记,应用于半导体结构,所述半导体结构包括衬底和设置有开孔的开孔层,其特征在于,所述量测标记包括第一图案、第二图案和第三图案,所述第一图案包括沿第一方向延伸且在第二方向平行间隔设置的多个第一标记,在所述第一图案中,在所述第二方向上,相邻的所述第一标记的间距同为第一间距,所述第二图案包括交错间隔设置的多个第二标记,所述第三图案包括交错间隔设置的多个第三标记,所述第一标记为长条形标记,所述第二标记和所述第三标记同为矩形孔标记; 所述量测标记在所述衬底的投影中,在所述第一方向上,所述第二标记的投影将所述第一标记的投影隔断;所述第二图案的投影与所述第三图案的投影不重叠,且,所述第三图案的投影与所述第二图案的投影在第三方向存在偏移距离,所述偏移距离包括0.25倍至0.5倍的所述第一间距; 所述第一方向与所述第二方向垂直,所述第三方向与所述第一方向不同。
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