长鑫存储技术有限公司刘洋浩获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利电容阵列结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115643745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110759810.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权电容阵列结构及其形成方法是由刘洋浩;夏军;占康澍;李森;宛强;刘涛;徐朋辉设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容阵列结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种电容阵列结构及其形成方法。所述电容阵列结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的堆叠结构、以及位于所述堆叠结构上的掩模层，所述掩模层中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述掩模层的刻蚀窗口；沿所述刻蚀窗口刻蚀所述堆叠结构，形成沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的电容孔；形成填充满所述电容孔和所述刻蚀窗口、并覆盖所述掩模层顶面的导电层；去除所述堆叠结构顶面的所述导电层和所述掩模层，残留于所述电容孔内的所述导电层形成下电极。本发明避免了在去除所述掩模层的过程中电容孔特征尺寸的异常增大，确保了形成的下电极的特征尺寸。
本发明授权电容阵列结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种电容阵列结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的堆叠结构、以及位于所述堆叠结构上的掩模层，所述掩模层中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述掩模层的刻蚀窗口； 沿所述刻蚀窗口刻蚀所述堆叠结构，形成沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的电容孔； 形成填充满所述电容孔和所述刻蚀窗口、并覆盖所述掩模层顶面的导电层； 采用第二干法刻蚀工艺去除覆盖于所述掩模层顶面和所述刻蚀窗口内的所述导电层，暴露所述掩模层； 去除所述掩模层；残留于所述电容孔内的所述导电层形成下电极； 其中，控制所述第二干法刻蚀工艺的刻蚀参数，使得残留的所述导电层的顶面与所述堆叠结构的顶面平齐。
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