长鑫存储技术有限公司卢志远获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115662882B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210938684.4，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由卢志远设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供衬底，衬底包括阵列区和外围区，外围区包括标记区和邻接标记区的空白区；在衬底上形成目标层和位于目标层上的第一核心层，第一核心层包括位于阵列区上的第一阵列核心层、位于标记区上方的第一标记核心层和位于空白区上方的第一盖层，其中，第一盖层具有倾斜的侧壁且顶部尺寸小于底部尺寸；形成第一介质层，第一介质层覆盖第一核心层的侧壁；形成第一填充层覆盖第一介质层表面并且填充相邻第一核心层之间的间隙；沿第一阵列核心层侧壁和第一标记核心层侧壁刻蚀第一介质层和目标层，以将第一核心层和第一填充层的图案转移至目标层。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括阵列区和外围区，所述外围区包括标记区和邻接所述标记区的空白区； 在所述衬底上形成目标层和位于所述目标层上的第一核心层，所述第一核心层包括位于所述阵列区上的第一阵列核心层、位于所述标记区上方的第一标记核心层和位于所述空白区上方的第一盖层，其中，所述第一盖层具有倾斜的侧壁且顶部尺寸小于底部尺寸； 形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一核心层的侧壁； 形成第一填充层覆盖所述第一介质层表面并且填充相邻所述第一核心层之间的间隙； 沿所述第一阵列核心层侧壁和所述第一标记核心层侧壁刻蚀所述第一介质层和所述目标层，以将所述第一核心层和所述第一填充层的图案转移至所述目标层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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