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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115666132B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110780756.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由韩清华设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供基底，在基底上形成功能叠层，功能叠层包括依次层叠的第一掺杂层、第二掺杂层以及第三掺杂层，第一掺杂层设置在基底上，且第二掺杂层中掺杂离子与第一掺杂层中掺杂离子不同，第一掺杂层中掺杂离子与第三掺杂层中掺杂离子相同；去除部分功能叠层，以形成呈阵列排布的多个有源柱。本发明通过直接在基底上形成具有掺杂离子的功能叠层，使得后续形成有源柱中具备第一掺杂区、第二掺杂区以及沟道区，解决了现有技术中无法对有源柱进行离子掺杂的技术问题，提高了有源柱的性能，进而提高了半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供基底； 在所述基底上形成功能叠层，所述功能叠层包括依次层叠的第一掺杂层、第二掺杂层以及第三掺杂层，所述第一掺杂层设置在所述基底上，且所述第二掺杂层中掺杂离子与所述第一掺杂层中掺杂离子不同，所述第一掺杂层中掺杂离子与所述第三掺杂层中掺杂离子相同； 去除部分所述功能叠层，以形成呈阵列排布的多个有源柱，其中，所述有源柱中的所述第一掺杂层作为第一掺杂区，所述有源柱中的所述第二掺杂层作为沟道区，所述有源柱中的所述第三掺杂层作为第二掺杂区； 在提供基底的步骤之后，在所述基底上形成功能叠层的步骤之前，所述制备方法包括： 采用原位掺杂工艺在所述基底上形成第一导电层，所述第一导电层用于形成半导体结构的位线，其中，所述第一导电层的材质包括锗，且所述第一导电层内具有掺杂离子，所述第一导电层内的掺杂离子的类型与所述第一掺杂层的掺杂离子的类型相同； 在所述基底上形成功能叠层的步骤之后，在去除部分所述功能叠层的步骤之前，所述制备方法包括： 在所述功能叠层上形成保护层； 在所述保护层上形成具有第一掩膜图案的第一掩膜层，所述第一掩膜图案包括多个第一掩膜凸起以及位于相邻的第一掩膜凸起之间的第一掩膜开口； 去除部分所述功能叠层，以形成间隔设置的多个有源柱的步骤中，包括： 去除暴露在所述第一掩膜开口内的所述保护层、所述功能叠层、所述第一导电层以及部分所述基底，以形成第一沟槽，被保留下来的所述功能叠层形成间隔设置的多个有源条，每个所述有源条沿第一方向延伸，被保留下来的所述第一导电层构成导电条； 在所述第一沟槽内形成第一初始介质层，所述第一初始介质层填充满所述第一沟槽； 在被保留下来的所述保护层和所述第一初始介质层上形成具有第二掩膜图案的第二掩膜层，所述第二掩膜图案包括多个第二掩膜凸起以及位于相邻的第二掩膜凸起之间的第二掩膜开口，所述第二掩膜凸起沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相互垂直； 去除暴露在所述第二掩膜开口内的所述有源条、部分所述第一初始介质层以及部分所述导电条，以形成第二沟槽，所述第二沟槽沿所述第二方向延伸，其中，被保留下来的所述有源条构成间隔设置的多个有源柱，被保留下来的所述第一初始介质层构成第一介质层，被保留下来的所述导电条形成间隔设置的多条位线，每条所述位线沿所述第一方向延伸。

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