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龙图腾网获悉桂林理工大学申请的专利基于HSA辅助识别的D-青霉胺分子印迹传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115684322B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211253090.6，技术领域涉及：G01N27/48；该发明授权基于HSA辅助识别的D-青霉胺分子印迹传感器的制备方法是由张连明;李建平;高静霞;李旦;罗奎设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于HSA辅助识别的D-青霉胺分子印迹传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于HSA辅助识别的D‑青霉胺分子印迹传感器的制备方法，涉及分子印记传感器技术领域，制备方法，步骤如下：S1.将裸金电极用氧化铝抛光粉在麂皮表面进行抛光，将抛光后的金电极依次置于硝酸溶液、无水乙醇、二次水中进行超声，以铁氰化钾溶液作为探针分子，使用循环伏安法测定至金电极电压响应值小于120mV，得到洗净后的金电极；S2.将洗净后的金电极通过半胱氨酸溶液进行修饰，再通过戊二醛溶液进行修饰，浸入人血清白蛋白溶液中进行羰基和氨基结合，浸入D‑青霉胺溶液中结合识别，得到HSA‑D‑Pen复合物修饰的金电极；S3.浸入邻苯二胺溶液中预组装，进行电聚合，得到印迹聚合物修饰的金电极；S4.将印迹聚合物修饰的金电极置于PBS缓冲溶液中进行洗脱。

本发明授权基于HSA辅助识别的D-青霉胺分子印迹传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于HSA辅助识别的D‑青霉胺分子印迹传感器的制备方法，其特征在于：所述的的制备方法，步骤如下： S1.将裸金电极用氧化铝抛光粉在麂皮表面进行抛光，将抛光后的金电极依次置于硝酸溶液、无水乙醇、二次水中进行超声，以铁氰化钾溶液作为探针分子，使用循环伏安法测定至金电极电压响应值小于120mV，得到洗净后的金电极； S2.将洗净后的金电极通过半胱氨酸溶液进行修饰，再通过戊二醛溶液进行修饰，浸入人血清白蛋白溶液中进行羰基和氨基结合，浸入D‑青霉胺溶液中结合识别，得到HSA‑D‑Pen复合物修饰的金电极； S3.将HSA‑D‑Pen复合物修饰的金电极浸入邻苯二胺溶液中预组装，进行电聚合，得到印迹聚合物修饰的金电极； S4.将印迹聚合物修饰的金电极置于PBS缓冲溶液中进行洗脱，得到所述的基于HSA辅助识别的D‑青霉胺分子印迹传感器。

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