长鑫存储技术有限公司尤康获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692320B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110833035.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其制作方法是由尤康;白杰设计研发完成，并于2021-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构及其制作方法，包括：提供包括核心NMOS区、核心PMOS区及外围NMOS区的基底；对核心PMOS区的基底进行氧化处理，以将核心PMOS区部分厚度的基底转化为氧化层；去除氧化层；在核心PMOS区的剩余基底上形成第一半导体层，第一半导体层中的空穴迁移率大于核心PMOS区的基底中的空穴迁移率；形成栅介质层，栅介质层位于第一半导体层上、核心NMOS区以及外围NMOS区的基底上；在栅介质层上形成栅极。本申请实施例涉及半导体领域，有利于降低核心PMOS区及核心NMOS区的高度差，从而便于后续的生产工艺。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供包括核心NMOS区、核心PMOS区及外围NMOS区的基底； 在所述核心PMOS区的所述基底表面形成第一阻挡层； 对所述核心PMOS区的所述基底进行氧化处理，以将所述核心PMOS区部分厚度的所述基底转化为氧化层； 去除位于所述核心PMOS区的所述第一阻挡层； 去除所述氧化层； 在所述核心PMOS区的剩余所述基底上形成第一半导体层，所述第一半导体层中的空穴迁移率大于所述核心PMOS区的所述基底中的空穴迁移率； 形成栅介质层，所述栅介质层位于所述第一半导体层上、所述核心NMOS区以及所述外围NMOS区的所述基底上； 在所述栅介质层上形成栅极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励