长鑫存储技术有限公司李晓杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692321B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110853063.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器是由李晓杰;袁盼设计研发完成，并于2021-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，所述方法包括：在衬底上形成初始半导体结构；对初始半导体结构进行刻蚀，形成阵列区结构和包括外围区栅极结构的外围区结构；在外围区结构的衬底上，形成包围外围区栅极结构的隔离墙；在包含隔离墙的外围区栅极结构上和阵列区结构上，沉积第二介质层；对第二介质层、第一介质层和隔离墙进行刻蚀，形成表面平坦的半导体结构。本申请能够在集成电路加工过程中，避免表面结构的过度消除，降低凹陷风险。
本发明授权一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上形成初始半导体结构； 对所述初始半导体结构进行刻蚀，形成阵列区结构和外围区结构；所述阵列区结构和所述外围区结构在所述衬底上的高度不同；所述外围区结构包括：外围区栅极结构；所述阵列区结构和所述外围区结构均包括：第一介质层，所述第一介质层的材料包括氮化硅； 在所述外围区结构的所述衬底上，形成包围所述外围区栅极结构的隔离墙，所述隔离墙包括氮化硅‑氧化硅‑氮化硅结构； 在包含所述隔离墙的所述外围区栅极结构上和所述阵列区结构上，沉积第二介质层，所述第二介质层的材料包括氧化硅； 按照氧化硅和氮化硅刻蚀的速率比为1:1，对所述第二介质层、所述第一介质层和所述隔离墙进行刻蚀，形成表面平坦的半导体结构。
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